[实用新型]1-3瓦照明用大功率LED无效

专利信息
申请号: 201120005481.7 申请日: 2011-01-10
公开(公告)号: CN201954315U 公开(公告)日: 2011-08-31
发明(设计)人: 杨光勇 申请(专利权)人: 东莞市骏宏光电有限公司
主分类号: F21S2/00 分类号: F21S2/00;F21V17/00;F21V19/00;F21V23/06;F21V29/00;F21Y101/02
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 谭一兵
地址: 523900 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 照明 大功率 led
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种大功率LED,尤其是涉及一种1-3瓦照明用大功率LED。

背景技术

现有的灯具包括白炽灯、普通日光灯及LED灯具等,普通日光灯为气体放电灯,普通日光灯的光电转换效率比白炽灯高,然而,普通日光灯对工作环境温度要求高,当温度较低时不容易启动,使用时普通日光灯内的氩气电离生热,从而使水银产生蒸汽并发出强烈的紫外线,普通日光灯容易闪烁,影响使用者视力。此外,当普通日光灯的灯管在破裂时,其内流出的发光物质会污染环境及对人类造成伤害。

LED是一种把电能转化为光能的固体器件,它的结构主要由PN结晶片、电极和光学元件组成,LED的基本工作原理是当一个正向偏置电压施加于PN结两端时,由于PN结势垒的降低,P区的正电荷将向N区扩散,N区的电子也向P区扩散,同时在两个区域形成非平衡电荷的积累。由于载流子相对不稳定,因而空穴与电子复合,其中多余的能量以光的形式向外辐射,电子和空穴的能量差越大,产生的光子能量就越高,能量级差大小不同,产生光的频率和波长就不同,相应的光的颜色就会不同。大功率LED有能量转换效率高、开关反应速度快、寿命长、无辐射及功耗低等优点而被应用。然而,由于现有的大功率LED转换效率低,还局限在一些特殊的领域,还未能在照明领域广泛应用。

发明内容

本实用新型是针对上述背景技术存在的缺陷提供一种1-3瓦照明用大功率LED,该大功率LED可实现增加LED晶片的出光效率及大幅度提高硅胶的灌铸效率,硅胶在固化过程中不外泄。

为实现上述目的,本实用新型公开了一种1-3瓦照明用大功率LED,其包括横截面呈T形的散热体,该散热体包覆有硅胶,所述散热体端部设置有LED晶片,所述LED晶片涂有一层硅胶质荧光粉,所述LED晶片的一端电连接有第一导线,所述第一导线的另一端电连接有第一引脚。所述LED晶片的另一端电连接有第二导线,所述第二导线的另一端电连接有第二引脚,所述LED晶片一侧设置有罩在所述硅胶上的呈半球型的PC透镜外壳。

进一步地,所述第一导线为金线或银线。

进一步地,所述第二导线为金线或银线。

进一步地,所述散热体为散热铜座。

综上所述,本实用新型1-3瓦照明用大功率LED通过采用高透光率、高强度PC作为无反射硅胶透镜成型外壳,可增加LED晶片的出光效率,更接近照明产品的需求。此外,可大幅度提高硅胶的灌铸效率,使硅胶在固化过程中不外泄,比传统的灯泡节能60%,寿命是普通灯泡的10倍。

附图说明

图1为本实用新型一种实施例的立体图。

图2为图1所示本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

为能进一步了解本实用新型的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能,下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。

请参阅图1及图2,本实用新型1-3瓦照明用大功率LED包括横截面呈T形的散热体1,该散热体1包覆有硅胶2。所述散热体1端部设置有LED晶片3,所述LED晶片3涂有一层硅胶质荧光粉4,使其通电后发出白光。所述LED晶片3的一端电连接有第一导线5,所述第一导线5的另一端电连接有第一引脚6。所述LED晶片3的另一端电连接有第二导线7,所述第二导线7的另一端电连接有第二引脚8,所述LED晶片3一侧设置有罩在所述硅胶2上的呈半球型的PC透镜外壳9。

所述第一导线5及所述所述第二导线7可为金线或银线,在本实施例中,所述第一导线5及所述第二导线7均银线,因而与现有技术相比,本实用新型可节约成本。此外,当所述LED晶片3发出的光线射到所述银线表面后,通过所述银线表面反射出,因而可提高出光效率。所述散热体1为散热铜座,因而可将LED晶片3产生的热量。

综上所述,本实用新型1-3瓦照明用大功率LED通过采用高透光率、高强度PC作为无反射硅胶2透镜成型外壳,可增加LED晶片3的出光效率,更接近照明产品的需求。此外,可大幅度提高硅胶2的灌铸效率,使硅胶2在固化过程中不外泄,比传统的灯泡节能60%,寿命是普通灯泡的10倍。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的一种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型的保护范围应以所附权利要求为准。

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