[实用新型]一种返回式电流复用混频器

权利要求书

1.一种返回式电流复用混频器，包括依次连接的跨导/放大级和混频级，其特征是跨导放大级放大输入射频信号，放大后的射频信号经过混频级产生输出中频信号；该中频信号被再次送到跨导/放大级的输入端，经跨导/放大级放大后，再作为最终的中频信号输出；

在跨导/放大级与混频级之间串联高通滤波网络对中频信号进行阻隔；在混频级输出端与跨导/放大级之间串联低通滤波网络对射频信号进行阻隔；

所述跨导/放大级采用电流复用结构，兼做射频的跨导级和中频的放大级。

2.根据权利要求1所述的返回式电流复用混频器，其特征在于：

所述跨导/放大级包括：PMOS管PM0和PM3；NMOS管NM0和NM1；电容C0和C1；电容C2和C3；电阻R1、R2、R3和R4；

PM0、NM0、PM3和NM1构成电流复用跨导级；NM0和NM1同时作为输出中频信号的放大管，最终输出信号从NM0，NM1的漏极输出；

所述混频级包括：双平衡开关PM4、PM5、PM6和PM7；用作偏置管的PMOS管PM1和PM2；PM4～PM7构成混频核心电路，由PM1和PM2提供电流偏置；用作混频负载的NMOS管NM2和NM3；

跨导级的直流偏置电压由NM2和NM3的栅极电压提供；在跨导级和混频级之间连接射频耦合电容C4和C5作为高通滤波网络，用以耦合射频信号，隔离最终的中频信号输出；

所述低通滤波网络包括C6、R5、C7、C9以及R6、C8、C10，用以耦合自混频级输出的中频信号至跨导/放大级，并且隔离自混频级输出的射频信号；

电容C0、C1的上极板接正输入信号端，C1的下极板接PM0的栅极；C0的下极板接NM0的栅极；电容C2、C3的上极板接正输入信号端，C3的下极板接PM3的栅极；C2的下极板接NM1的栅极；

PM0的源极接电源电压，漏极接NM0的漏极；电阻R1正端接PM0的栅极，负端接电阻R2的正端，R2的负端接PM0的漏极；PM3的源极接电源电压，漏极接NM1的漏极；电阻R3的正端接PM3的栅极，负端接R4的正端，R4的负端接PM3的漏极；R1的负端与R3的负端同时接到电容C12的上极板，C12的下极板接地；

NM0和NM1的漏极接地；PM1和PM2的源端接电源电压，栅极接电流镜栅极电压；PM4、PM5的源极接PM1的漏极，PM6、PM7的源极接PM2的漏极；本振信号正端接PM5和PM6的栅极，本振信号负端接PM4和PM7的栅极；

NM2和NM3的源极接地，栅极接电容C11的上极板，电容C11的下极板接地；NM2的漏极接PM4、PM6的漏极；NM3的漏极接PM5、PM6的漏极；

电容C4的上极板接PM0的漏极，下极板接PM1的漏极；电容C5的上极板接PM3的漏极，下极板接PM2的漏极；电阻R7的正端接NM2的漏极，负端接NM2的栅极；R8的正端接NM3的漏极，负端接NM3的栅极；电容C6跨接在R7的正端和R8的正端之间；电容C9的上极板接NM2的漏极，下极板接地；电容C10的上极板接NM3的漏极，下极板接地；电阻R5的正端接NM2的漏极，负端接NM0的栅极和电容C7的上极板，C7的下极板接地；电阻R6的正端接NM3的漏极，负端接NM1的栅极和电容C8的上极板，C8的下极板接地；

R9的正端接输出结点1，R9的负端为中频输出正极，接电容C13的上极板，C13的下极板接地；R10的正端接输出结点2，R10的负端为中频输出负极，接电容C14的上极板，C14的下极板接地；输出结点1是在电阻R2的负端，输出结点2是在电阻R4的负端。