[实用新型]肖特基势垒二极管

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种肖特基势垒二极管，尤其是涉及一种设置有焊片和引线装置的肖特基势垒二极管。 

背景技术

现有的二极管一般包括有晶粒，即通常所说的PN结，晶粒被封装在塑料内，然后晶粒的左右两端通常两条引线引出，同时所采用的原料中铅等金属元素较多，但是肖特基二极管一般采用金属和半导体材料结合的方式制作。实用新型发明人在使用中发现现有技术至少存在下述问题：一、晶粒被封装在塑料内时，晶粒中金属和半导体的结合过于单一，并且现有的二极管在加工时晶粒缺少保护层，容易受到污染和破坏：二，所采用的材料不够环保，超过我国和欧盟等地区的环保标准，大量使用对环境造成较大破坏。 

有鉴于此，本实用新型发明人乃积极开发研究，并为改进上述产品的不足，经过长久努力研究与实验，终于开发设计出本实用新型的肖特基势垒二极管。 

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种肖特基势垒二极管，能够解决现有技术中引线连接强度不够、容易受到污染及不够环保的问题。 

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种肖特基势垒二极管，包括晶粒和环氧模塑料，所述晶粒逐次包括阳极金属、半导体电场消除材料、硅基片、阴极层和阴极金属，所述晶粒的外侧设置有引线装置，所述晶粒、引线装置的一端依次相连，所述环氧模塑料将所述晶粒和引线装置的一端包覆在内。 

优选地，所述引线装置为一干字结构，包括一连接层、一防护层和一引线，所述连接层与所述晶粒相接，所述引线的一端连接至连接层中央，所述防护层中央与所述引线连接。 

优选地，所述晶粒和所述连接层相连侧的表面积相等。 

优选地，所属晶粒半导体电场消除材料与硅基片之间设置有外延层。 

优选地，所述肖特基势垒二极管为环保材料制作。 

采用本实用新型的技术方案后，由于在所述晶粒的硅基片在与阳极金属和阴极金属接触前设置有非金属电场消除材料和外延层，晶粒的两侧设置有引线装置，引线装置设置为干字结构，包括有连接层和防护层，因此遭焊片融化时使得晶粒与引线装置牢固连接在一起，防护层能够使得对引线加工时不会污染晶粒，使得本实用新型二极管的连接强度和工作稳定性得到提高，同时采用环保材料制作，更能保护环境。 

附图说明

图1是本实用新型实施例的结构示意图。 

图2是本实用新型实施例分解结构示意图。 

具体实施方式

下面结合附图和实施方式对本实用新型作进一步详细说明。 

请参阅图1和图2，为本实用新型一种具体实施方式，一种肖特基势垒二极管，包括晶粒1和环氧模塑料4，所述晶粒1逐次包括阳极金属2、半导体电场消除材料3、硅基片5、阴极层6和阴极金属7，所述晶粒1的外侧设置有引线装置，所述晶粒1和引线装置的一端依次相连，所述环氧模塑料4将所述晶粒1和引线装置的一端包覆在内。这样，引线装置的设置可使得本实用新型的连接更为可靠。所属晶粒1内依次设置的阳极金属2、半导体电场消除材料3、硅基片5、阴极层6和阴极金属7后，在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极)时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。 

作为优选方式，所述引线装置为一干字结构，包括一连接层8、一防护层9和一引线10，所述连接层8与所述阳极金属2和阴极金属7相接，所述引线10的一端连接至连接层8中央，所述防护层9中央与所述引线10连接并与所述连接层8隔有适当距离。同时所述晶粒1和所述连接层8相连侧的表面积相等，这样大幅提高了晶粒1与引线装置的连接面积，使得连接稳固性大幅提高。在 二极管的制作工艺中，对引线的处理中存在电镀锡这样一个步骤，在该步骤中引线10放入电镀槽中滚动时，由于防护层9的存在，使得电镀液不至于粘附在晶粒1上，从而确保了产品的质量。 

同时，所述肖特基势垒二极管为环保材料制作，二极管的组成材料晶粒1、和引线装置等均采用符合中国“电子信息产品污染控制管理办法”的有关规定，同时也符合欧盟环保法规标准，产品中五氧化砷等15种高关注物质含量均低于0.1％的标准，能够节省资源、减少对环境的污染。