[实用新型]半导体二极管泵浦10W级355nm紫外激光器有效
| 申请号： | 201120009525.3 | 申请日： | 2011-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN201937162U | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 赵裕兴;李立卫 | 申请（专利权）人： | 苏州德龙激光有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/0941 | 分类号： | H01S3/0941;H01S3/109;H01S3/08;H01S3/16 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 王玉国;陈忠辉 |
| 地址： | 215021 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 二极管 10 355 nm 紫外 激光器 | ||
【权利要求书】：
1.半导体二极管泵浦10W级355nm紫外激光器，其特征在于：半导体二极管的输出端布置光学耦合系统，光学耦合系统的输出端布置激光晶体，激光晶体衔接谐振腔结构，谐振腔结构的输出端布置透镜，透镜的输出端布置二倍频晶体，二倍频晶体衔接透镜，透镜的输出端依次布置45°电动反射镜和45°反射镜，45°反射镜衔接三倍频晶体。
2.根据权利要求1所述的半导体二极管泵浦10W级355nm紫外激光器，其特征在于：所述半导体二极管是输出功率为100W的888.5nm波段的半导体二极管，其尾纤纤芯直径为100微米，数值孔径NA＝0.22。
3.根据权利要求1所述的半导体二极管泵浦10W级355nm紫外激光器，其特征在于：所述光学耦合系统是放大倍率为1∶12的光学耦合系统。
4.根据权利要求1所述的半导体二极管泵浦10W级355nm紫外激光器，其特征在于：所述激光晶体为Nd:YVO4，其晶体尺寸为4×4×40mm3，晶体掺杂浓度为0.6％。
5.根据权利要求1所述的半导体二极管泵浦10W级355nm紫外激光器，其特征在于：所述三倍频晶体为II类相位匹配方式三硼酸锂，其晶体尺寸为4×4×25mm3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州德龙激光有限公司，未经苏州德龙激光有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120009525.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电力排线握弯固定座
- 下一篇：激光器晶体座的散热结构
