[实用新型]用于射频功率放大器的可调有源偏置电路有效

专利信息
申请号: 201120010578.7 申请日: 2011-01-14
公开(公告)号: CN201956978U 公开(公告)日: 2011-08-31
发明(设计)人: 高怀;王锋;王钟;牛旭;俞汉扬;张晓东 申请(专利权)人: 苏州英诺迅科技有限公司
主分类号: H03F3/20 分类号: H03F3/20;H03F3/189
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 范晴
地址: 215123 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 射频 功率放大器 可调 有源 偏置 电路
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及无线通信领域中的射频功率放大器技术,尤其涉及一种用于射频功率放大器的可调有源偏置电路。

背景技术

无线通信系统的快速发展对无线通信设备的性能提出了越来越高的要求。射频功率放大器是发射机的核心组件,它的输出功率决定了发射机所能覆盖的区域范围,功率附加效率决定了发射机的能耗和散热,线性度决定发射机所发射信号的失真度。由于新一代无线通信系统大多采用非恒定包络调制方式,所以系统的线性度成为一个需要着重考虑的指标。为了提高线性,射频功率放大器不能被驱动至饱和区,而必须采用功率回退的方法使功率放大器工作在线性区。回退越多,线性越好,但功率放大器的效率也会越低。为了兼顾线性和效率,功率放大器的设计一般都会采用各种线性化技术来达到线性和效率之间的平衡。

图1所示的方框A中的部分是一种传统的射频功率放大器线性化偏置电路,包括由二极管结构连接的三极管Q1、Q2构成的基准电压提供电路和给射频晶体管Q4提供偏置电流的三极管Q3,其中三极管的基极和集电极相连,构成的二极管结构。三极管Q1、Q2构成基准电压提供电路,用于产生一个基准电压,给三极管Q3提供基极偏置电压,然后通过电阻R2给射频晶体管Q4提供直流偏置。Q1的集电极通过电阻R1连接到三极管Q3的集电极相连,并共同连接至同一个参考电压VREF。由于三极管Q1、Q2、Q3和Q4采用同种类型的三极管,所以在温度变化引起三极管结电压变化时,这几个三极管的发射结电压将产生相同趋势的变化,从而使得该偏置电路对温度变化具有补偿作用。连接在三极管Q3基极和地之间的电容C1主要起线性化作用。当输入射频功率RFIN较大时,射频晶体管Q4的基极电压会下降,跨导减小,会使其产生增益压缩的非线性现象。增加电容C1后,可以使三极管Q3和电容C1构成一条到地的射频通路,这样当输入射频功率较大时,三极管Q3基极和发射极间的电压也将下降,从而达到对射频晶体管Q4的基极电压进行补偿的作用。

这种传统偏置电路简单易用,但是它对参考电压VREF的变化非常敏感。当VREF在一定范围内变化时,射频晶体管Q4的偏置电流的相对变化量非常大,这就使得在实际应用中很可能会由于电源电压不稳或环境温度变化过大而使射频功率放大器进入非正常工作状态。

发明内容

本实用新型目的是:针对传统射频功率放大器偏置电路对参考电压波动和环境温度变化非常敏感的缺点,提供一种用于射频功率放大器的可调有源偏置电路,通过调节控制电压改变偏置管的工作状态可以降低偏置电流对参考电压和环境温度的敏感度。

本实用新型的技术方案是:一种用于射频功率放大器的可调有源偏置电路,包括第三三极管和第三电阻,第三三极管的发射极通过第三电阻连接射频晶体管的基极,第三三极管的基极连接有基准电压提供电路,所述第三三极管的集电极和调节第三三极管工作状态的控制电压VCON相连,所述基准电压提供电路包括第一三极管、第二三极管、第一电阻和第二电阻,所述第一三极管的基极和第二三极管的集电极相连,并经过第一电阻和参考电压VREF相连;所述第一三极管的集电极连接至参考电压VREF;所述第一三极管的发射极与第二三极管基极相连,并通过第二电阻接地;所述第二三极管的发射极接地;所述第一三极管的基极连接所述第三三极管的基极。

进一步的,所述的用于射频功率放大器的可调有源偏置电路还包括第一电容,连接在第三三极管的基极和地之间。

本实用新型的优点是:与传统射频功率放大器偏置电路相比,本实用新型在调节VREF以获得恰当基准电压的情况下,可进一步通过调节VCON使三极管Q3工作在饱和区以降低偏置电路对电源波动和环境温度的敏感度,提高射频功率放大器的线性度,从而使功率放大器在较为恶劣的工作条件和环境下保持正常工作状态。

附图说明

下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述:

图1为传统的射频功率放大器有源偏置电路的电路图;

图2为本实用新型的实施例的电路原理图。

具体实施方式

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州英诺迅科技有限公司,未经苏州英诺迅科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120010578.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top