[实用新型]一种改进片外ESD保护电路射频性能的连接结构有效
| 申请号： | 201120010863.9 | 申请日： | 2011-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN201956679U | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 高怀;杨涛;张晓东;王钟;王寅生 | 申请（专利权）人： | 苏州英诺迅科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H02H9/02 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改进 esd 保护 电路 射频 性能 连接 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种改进片外ESD保护电路射频性能的连接结构，包括片外ESD保护电路（1）和键合线，其特征在于：所述键合线包括第一键合线（2）和第二键合线（3），所述第一键合线（2）和第二键合线（3）头尾相接串联在信号传输线中，将信号传输线分隔成第一传输线（4）和第二传输线（5）两段，所述片外ESD保护电路（1）的输入端口连接在第一键合线（2）和第二键合线（3）的连接点上。
2.根据权利要求1中所述的一种改进片外ESD保护电路射频性能的连接结构，其特征在于：所述片外ESD保护电路（1）是二极管串结构的ESD保护电路，或达林顿结构的ESD保护电路，或是分布式ESD保护电路。
3.根据权利要求1中所述的一种改进片外ESD保护电路射频性能的连接结构，其特征在于：所述键合线是金属键合线。
4.根据权利要求3中所述的一种改进片外ESD保护电路射频性能的连接结构，其特征在于：所述键合线是金键合线。
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