[实用新型]一种取晶片用工具无效
申请号: | 201120012733.9 | 申请日: | 2011-01-17 |
公开(公告)号: | CN201985085U | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 施斌慧 | 申请(专利权)人: | 江阴市江海光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/677 |
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地址: | 214400 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶片 用工 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种压电石英晶体厚度片加工中使用的工装,具体地说,涉及了二种晶片取片工具。
背景技术
随着大规模集成电路的迅速发展,电子器件制造行业对石英晶体表面的质量要求越来越高,即晶片在切割、研磨和抛光过程中其损伤的程度和深度是晶体材料切割的关键。线切割机是近十几年来获得迅速发展的一种硬脆材料切割设备,它包括使用游离磨料和固结磨料两类,根据锯丝的运动方式和机床结构,可分为往复式线锯和单向线锯。目前在光电子工业中使用最为广泛的是往复式多线锯,线切割使用高硬度的碳化硅作为磨料,其典型磨料尺寸为20μm以下,能够对硬脆材料实施精密、窄锯缝切割,且可实现成形加工。随着在大尺寸半导体和光电池薄片切割中的应用和发展,线切割逐渐显现出一系列无可比拟的优点:如加工表面损伤小,曲线表形小,切片薄,片厚一致性好,能切割大尺寸晶体,省材料,效率高,效益高,产量大等。
目前,多线切割因加工效率高,损耗少,适合大批量晶片加工,在晶体材料的切割上,得到了广泛的应用。晶片的切割大多采用多线切割机切割,随着晶体直径的增大,多线切割将完全替代内圆切割及多刀切割。线切割由于单位长度上出片多,产生良好的经济效益,但也由于出片多,晶片较薄,在加工过程中造成损片较多,使得合格品率降低;尤其是线切割机切完晶片后,传统取片方式是用手工直接取,由于晶片厚度仅为0.15mm,且晶片为脆性材料,片与片和棒与棒的缝隙很小,只有0.20mm左右的间距,而人的手指相对较粗,每个操作员工的手法各异,从而造成取片时难以避免会损伤晶片,造成合格品率降低。为了克服以上问题,人们一直在寻找一种技术解决方案。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术中存在的缺陷,从而提供一种设计科学、结构简单、实用性强、取片快捷、操作安全可靠的晶片取片工具。
为实现上述目的,本实用新型的技术方案是设计一种取晶片用工具,其特征在于,所述工具呈T形片状体,所述T形片状体的上端呈圆环或椭圆环形,所述T形片状体的下部呈一字型,在所述一字型的端部形成有刃口。
优选的技术方案是,所述T形片状体的厚度为0.1mm~0.4mm。
最佳的技术方案,所述T形片状体的厚度为0.23mm。
优选的技术方案还包括,所述T形片状体采用弹簧不锈钢片制成。
优选的技术方案还包括,在所述T形片状体的上端与下部相交的两个直角处设置有圆弧角。
本实用新型的优点和有益效果在于:该取晶片用工具构思巧妙,设计科学,结构简单,实用性强。采用该工具取晶片,损片少,速度快,操作简单,安全可靠,效率高,晶片合格率高。
附图说明
图1是本实用新型取晶片用工具结构示意图;
图2是图1的侧视示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本实用新型的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案,而不能以此来限制本实用新型的保护范围。
如图1、图2所示,本实用新型是一种取晶片用工具,该工具呈T形片状体1,所述T形片状体1的上端2呈圆环或椭圆环形,所述T形片状体的下部3呈一字型,在所述一字型的端部形成有刃口4。所述T形片状体的厚度为0.1mm~0.4mm。其中最佳的技术方案为所述T形片状体的厚度为0.23mm。
本实用新型优选的实施例还包括,所述T形片状体1采用弹簧不锈钢片制成。在所述T形片状体1上端与下部相交的两个直角处设置有圆弧角5。
在线切割机切割完晶片后,先用煤油对晶片进行清洗,去除掉砂液;使用本取片工具,将该工具插入晶片与晶片之间的缝隙中,由于工装的厚度为0.23mm,而晶片与晶片之间的缝隙为0.20mm,当工装到达晶片的底部的保护玻璃时,由于厚度差,将玻璃别断;取回工装时,晶片由于煤油造成的真空,吸附于工装之上,从而取出了晶片;使用该方法,晶片完好无损,大大提高了晶片的产出率。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型技术原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造