[实用新型]LED低压G4灯无效
申请号: | 201120012832.7 | 申请日: | 2011-01-17 |
公开(公告)号: | CN201944617U | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 赵文兴 | 申请(专利权)人: | 东莞高仪电子科技有限公司 |
主分类号: | F21S2/00 | 分类号: | F21S2/00;F21V23/06;F21V17/10;F21V5/04 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 谭一兵 |
地址: | 523900 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 低压 g4 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种LED灯,尤其是涉及一种LED低压G4灯。
背景技术
G4卤素灯与传统的白炽灯的相比,它在同样的功率下发光亮度一般比白炽灯高出50%,因而得到广泛的应用。卤素灯的外形一般都是一个细小的石英玻璃管,该石英玻璃管内设置有作为灯丝的钨丝,在这种灯的灯丝和玻璃外壳中充有一些卤族元素,如碘或溴等。当灯丝发热时,钨原子被蒸发向玻璃管壁方向运动。在它们接近玻璃管时,钨蒸气被“冷却”并和卤素原子结合在一起,形成卤化钨(碘化钨、溴化钨)。卤化钨向玻璃管中央移动,又落到被腐蚀的灯丝上。因为卤化钨很不稳定,遇热后就会分解成卤素蒸气和钨,这样钨又在灯丝上沉积下来,弥补了被蒸发的部分。如此循环,灯丝的使用寿命相应得到一定的延长。然而,卤素灯是采用灯丝通电发光,灯丝在长时间高温下易发生熔断,故障率偏高,光效也相对偏低。
发明内容
本实用新型是针对上述背景技术存在的缺陷提供一种LED低压G4灯,该LED低压G4灯节能,温度低,亮度高,尺寸小及使用寿命长。
为实现上述目的,本实用新型公开了一种LED低压G4灯,其包括壳体,所述壳体内收容有LED光源模组。所述壳体的一端连接有透镜,另一端连接有灯头,所述透镜远离所述灯头的端面设置有凹槽。所述灯头上插设有插脚,所述插脚的一端与所述LED光源模组电连接,所述插脚的另一端延伸至灯头外。
进一步地,所述透镜与所述壳体扣接相连。
进一步地,所述灯头与所述壳体插接相连。
进一步地,所述壳体由相互插接配合的第一壳体及第二壳体组成。
综上所述,本实用新型LED低压G4灯与传统的G4卤素灯相比,它是一种直接将电能转化为可见光的发光器件,工作电压低,耗电量少,发光效率高,光色纯,性能稳定可靠,红外线及紫外线少,热辐射量低。可以在灯具保留原有设计的情况下直接更换光源和电源就能够替换使用。
附图说明
图1为本实用新型一种实施例的结构示意图。
图2为图1所示本实用新型另一视角的结构示意图。
图3为图1所示本实用新型的分解图。
图4为图1所示本实用新型另一视角的分解图。
具体实施方式
为能进一步了解本实用新型的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能,下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。
请参阅图1至图4,本实用新型LED低压G4灯包括壳体1,所述壳体1包括第一壳体11及第二壳体12。所述第一壳体11的两侧缘设置有条形的插接槽111,所述插接槽111沿所述第一壳体11的的长度方向延伸。所述第二壳体12设置有插接部121,所述插接部121插设在所述插接槽111内。所述第一壳体11及第二壳体12的一端均设置有弧形槽13,所述两弧形槽13共同组成环形槽。
所述壳体1内收容有LED光源模组2,所述LED光源模组2设置有铝基板21及焊接在所述铝基板21上的LED芯片22。由于所述壳体1由相互插接配合的第一壳体11及第二壳体12组成,因而便于装配LED光源模组2。所述壳体1的一端设置有透镜3,另一端设置有灯头4,所述透镜3远离所述灯头4的端面设置有凹槽31。所述透镜3远离所述凹槽31的一端设置有两位置相对的扣接槽32,所述透镜3通过所述扣接槽32与所述第一壳体11及第二壳体12扣接相连。
所述灯头4上插设有插脚5,所述插脚5的一端与所述LED光源模组2电连接,所述插脚5的另一端延伸至灯头4外。所述灯头4插设在所述环形槽内,从而实现灯头4与壳体1插接相连。使用本实用新型时,将所述插脚5插设在灯座上,则壳体1内的所述LED芯片22因通电而发光。当光线射到所述透镜3的凹槽31的槽壁时,由于凹槽31内的空气为光疏介质,因而大部分光线因发生全发射而向四周射出,从而提高照射面积。
综上所述,本实用新型LED低压G4灯与传统的卤素灯相比,它是一种直接将电能转化为可见光的发光器件,工作电压低,耗电量少,发光效率高,光色纯,性能稳定可靠,不产生红外线及紫外线,热辐射量低。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的一种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型的保护范围应以所附权利要求为准。
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