[实用新型]10G电吸收调制激光发射器无效

专利信息
申请号: 201120018424.2 申请日: 2011-01-20
公开(公告)号: CN201918629U 公开(公告)日: 2011-08-03
发明(设计)人: 曾焕添 申请(专利权)人: 美泰普斯光电科技(大连)有限公司
主分类号: H01S3/04 分类号: H01S3/04;H04B10/155
代理公司: 大连星海专利事务所 21208 代理人: 于忠晶
地址: 116600 辽宁省大连*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 10 吸收 调制 激光 发射器
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及光通信元器件,特别是激光发射器。

背景技术

激光发射器是一款专门应用于长途干线数据传输的光电元器件,它主要包含激光器芯片、密封管壳和探测器等。现有市场的的激光发射器一般采用单一发射的芯片作为激光器芯片,激光器芯片在高温下波长不稳定,因此目前的激光发射器只能够传输10公里以下的距离,应用有限。

发明内容

本实用新型的目的是克服上述不足问题,提供一种10G 电吸收调制激光发射器,结构简单,内置制冷器,波长稳定,能够满足长距离大容量信号传输。

本实用新型为实现上述目的所采用的技术方案是:10G 电吸收调制激光发射器,涉及激光器芯片和探测器,激光器芯片上面集成具有调制功能的调制器,发射器下面安装制冷器,制冷器控制激光器芯片温度。

所述探测器放置在激光器发光面监控激光器芯片的发光强度,发光信号传输给密封管壳,密封管壳驱动制冷器。

所述制冷器采用热电制冷器。

本实用新型结构简单,与传统同类产品相比,10G 电吸收调制激光发射器主要采用了集成调制器芯片技术和芯片制冷技术来实现长距离传输。其中集成调制器的芯片技术是指在原先单一发射的芯片上面集成一块有调制功能的调制器,集成之后光的调制性能就比单纯的电流调制要好,从而将传输的距离有效提高,芯片制冷技术指在发射器下面安装一个热电制冷器来精确控制芯片的温度,因为激光器芯片的工作与温度有比较明显的相关性,在激光器里面控制芯片的温度,激光发射的波长就能够稳定,波长稳定同样能够提高传输的距离。本实用新型的成功应用,能够使长距离的光通信设备铺设成本大大的减少,比如以前在40公里的距离要实现光通信,我们需要铺设4个10公里传输能力的激光器,现在使用本实用新型只需要放置1个就能够实现。

附图说明:

图1是本实用新型结构示意图。

图2是本实用新型制冷部分结构示意图。

具体实施方式:

如图1和2所示的10G 电吸收调制激光发射器,涉及激光器芯片1、探测器3和密封管壳4,激光器芯片1上面集成具有调制功能的调制器5,发射器下面安装制冷器2,制冷器采用热电制冷器,热电制冷器控制激光器芯片温度,探测器3放置在激光器发光面监控激光器芯片1的发光强度,发光信号传输给密封管壳4来驱动热电制冷器,从而实现对激光器芯片的温度控制,密封管壳4同时使所有零部件有一个良好的工作环境并与空气隔离防止氧化。

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