[实用新型]像素点独立控制式近晶态液晶显示屏有效
申请号: | 201120020067.3 | 申请日: | 2011-01-21 |
公开(公告)号: | CN201965373U | 公开(公告)日: | 2011-09-07 |
发明(设计)人: | 孙刚;陈月菊 | 申请(专利权)人: | 苏州汉朗光电有限公司 |
主分类号: | G02F1/133 | 分类号: | G02F1/133;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 张卫华 |
地址: | 215123 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 独立 控制 晶态 液晶显示屏 | ||
1.一种像素点独立控制式近晶态液晶显示屏,其特征在于:它包括第一基体层和第二基体层,该第一基体层与该第二基体层之间设有混合层,该第一基体层朝向该混合层的一侧设有公共电极层,该第二基体层朝向该混合层的一侧设有像素电极层,其中:该公共电极层为一个公共电极片,该公共电极片覆盖住其相对应的该混合层的一侧表面,该公共电极片与外部的控制装置上的相应端子相连;该像素电极层由多个像素电极片构成,该像素电极片的面积等于待显示像素点的面积,各个像素电极片分别由一个独立的电极线从相邻的像素电极片间的缝隙引出而与外部的该控制装置上的相应端子相连。
2.如权利要求1所述的像素点独立控制式近晶态液晶显示屏,其特征在于:所述像素电极片的形状为矩形。
3.如权利要求1或2所述的像素点独立控制式近晶态液晶显示屏,其特征在于:所述像素电极层由M×N个像素电极片构成,该M×N个像素电极片排列成矩阵结构。
4.如权利要求3所述的像素点独立控制式近晶态液晶显示屏,其特征在于:所述电极线的宽度为大于等于1μm且小于等于100μm;相邻的所述电极线间的缝隙为大于等于1μm且小于等于50μm。
5.如权利要求4所述的像素点独立控制式近晶态液晶显示屏,其特征在于:所述电极线的宽度为20μm;相邻的所述电极线间的缝隙为10μm。
6.如权利要求1所述的像素点独立控制式近晶态液晶显示屏,其特征在于:所述公共电极片为ITO电极或金属电极;所述像素电极片和电极线为ITO电极或金属电极。
7.如权利要求1所述的像素点独立控制式近晶态液晶显示屏,其特征在于:所述第一基体层为玻璃或塑料;所述第二基体层为玻璃或塑料。
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