[实用新型]具金刚石导热厚膜的发热组件导热基座结构无效

专利信息
申请号: 201120020569.6 申请日: 2011-01-24
公开(公告)号: CN202003978U 公开(公告)日: 2011-10-05
发明(设计)人: 陈鸿文 申请(专利权)人: 陈鸿文
主分类号: H01L23/373 分类号: H01L23/373;H01L23/12;H01L25/075
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100192 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 金刚石 导热 发热 组件 基座 结构
【权利要求书】:

1.一种具金刚石导热厚膜的发热组件导热基座结构,其特征在于:它包括一导热基座;一个以上厚度为40-800微米的金刚石导热厚膜,该金刚石导热厚膜的下部贴合于所述导热基座的平面上;在金刚石导热厚膜上贴合有发热电子组件;在导热基座的表面排置有一层以上的电路绝缘层;所述的电路绝缘层避开了金刚石导热厚膜在导热基座上所贴覆的区域、覆盖在导热基座的上表面。

2.根据权利要求1所述的具金刚石导热厚膜的发热组件导热基座结构,其特征在于:所述的导热基座,其原料选自硅、陶瓷、石墨或金属中的一种。

3.根据权利要求1所述的具金刚石导热厚膜的发热组件导热基座结构,其特征在于:所述的发热电子组件,是由p型与n型半导体组成的发光二极管。

4.根据权利要求1所述的具金刚石导热厚膜的发热组件导热基座结构,其特征在于:所述的金刚石导热厚膜镶入在所述的导热基座上。

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