[实用新型]高功率因数恒流LED照明电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种高功率因数恒流LED照明电路。

背景技术

目前，LED的应用越来越广泛，用于日常室内和户外照明的LED灯具也正越来越普及。目前的LED照明交流驱动电路一般都设有滤波电路以避免电压的波动，如图1所示，最简单的滤波电路一般包括至少一个滤波电容C2及一个泄放电阻R2，复杂的滤波电路则可能包括更多的电容器件，由于电容器件的存在，且滤波电容值较大，使得电路的无功功率比重较大，造成整个电路的功率因数很低，甚至低于0.5，不符合有些国家的相关技术标准或规范。为了提高功率因数，有的LED照明电路元器件多，甚至采用IC模块，使得其结构复杂，成本高。

“MOSFET”是英文“metal-oxide-semiconductor field effect transistor”的缩写，意即“金属氧化物半导体场效应晶体管”，其原理是所有现代集成电路芯片的基础。一个耗尽型MOSFET器件由三个基本部分构成：源极(S)、栅极(G)和漏极(D)。一个N-通道耗尽型MOS场效应管在源极及漏极之间接近栅极表面，有一个与源漏同极性的浅层掺杂层将源极与漏极相连接。当栅极与源极电压为正时，其饱和导通电流也随电压增高而增大，此点与增强型MOS场效应管相同。但是当栅极与源极同电位时，当漏极施以正压时，耗尽管先是经过电流急速上升的线性区，然后就进入恒流导通的饱和区，此时的漏极电压被称作饱和电压，漏极导通电流之大小与浅层掺杂层的浓度与深度有关，一般浓度与深度越大则电流越大。当栅极与源极之间施以负电压，则通道可以被截止，导通电流为零，此时的栅极电压被定义为开启电压，但是如果通道浓度太浓、深度太深，则栅极将无法截断通道电流。耗尽型MOS管由于在栅极与源极电压为零时，漏源极电流已呈恒流导通，这点导致其不如增强型MOS管在逻辑应用上方便，所以迄未被工业界单独做成器件来使用。由于耗尽型MOS管在栅极电压为零时已导通的特性及其在漏极电压增加时电流基本在饱和区直到漏极雪崩击穿，故其可作为一个恒流源使用。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种结构简单、元器件少、LED使用寿命长的高功率因数恒流LED照明电路。

本实用新型所采用的技术方案是：本实用新型包括整流电路、LED光源负载、恒流源电路，所述高功率因数恒流LED照明电路不包括滤波电容，交流电经所述整流电路整流后变为脉动直流电，脉动直流电经所述LED光源负载、所述恒流源电路构成回路，所述恒流源电路对所述LED光源负载进行稳压、稳流，所述LED光源负载包括至少一组相串联的若干个LED，所述恒流源电路包括至少一组恒流源器件，每组所述恒流源器件包括至少一个耗尽型场效应晶体管，所述耗尽型场效应晶体管的漏极为一接点，所述耗尽型场效应晶体管的源极与栅极相短接构成另一接点。

进一步，每组所述恒流源器件包括两个或两个以上互相并联连接的所述耗尽型场效应晶体管。

每组所述恒流源器件包括至少两个具有相同电流规格的恒流源组，各所述恒流源组之间互相串联连接，每个所述恒流源组均并联接有第一稳压二极管，每个所述恒流源组包括至少一个所述耗尽型场效应晶体管。

进一步，每个所述恒流源组内包括两个或两个以上互相并联连接的所述耗尽型场效应晶体管。

所述高功率因数恒流LED照明电路还包括风扇电路，所述风扇电路与所述LED光源负载、所述恒流源电路相串联并接于整流后的脉动直流电构成回路。

所述风扇电路的电机并联接有第二稳压二极管或分流电阻。

所述高功率因数恒流LED照明电路还包括短路保护电路，所述短路保护电路接于交流电源的输入端与所述整流电路之间。

所述短路保护电路包括保险管。

所述整流电路采用桥式整流。

交流电输入的电压为90～300V之间的特定电压段，所述特定电压段的波动范围为±30V，所述LED光源负载中每组相串联的LED的个数为30～125个。