[实用新型]防止高频谐振的整流变压器装置有效
申请号: | 201120022185.8 | 申请日: | 2011-01-24 |
公开(公告)号: | CN201947189U | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 申坤明;刘国强 | 申请(专利权)人: | 宝山钢铁股份有限公司 |
主分类号: | H02M7/04 | 分类号: | H02M7/04;H02M1/32 |
代理公司: | 上海科琪专利代理有限责任公司 31117 | 代理人: | 郑明辉;叶知行 |
地址: | 201900 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防止 高频 谐振 整流 变压器 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种冶金行业炼钢用电除尘技术,尤其涉及一种防止高频谐振的整流变压器装置。
背景技术
在冶金行业的炼钢厂中采用电除尘技术,可以大幅度提高除尘效率,该技术在炼钢行业的除尘技术领域是一项新技术。电除尘技术中的关键部件是变压器,但是由于除尘内部极板极线之间会发生闪络而产生一定振幅并且频率高达兆赫兹的谐振电压和电流,谐振电流导致反复的逆向电流持续通过高压变压器的整流二极管,造成不断增加的功率损耗,最终使二极管损坏,导致整流功能出现异常,变压器不能正常运行,严重影响了除尘效率。现有电除尘用变压器的工作原理参见图1,首先将三相输入电源L1、L2、L3经整流器1后整流成直流,然后用大电容C存储电能,再通过逆变器2逆变成500Hz的交流电,通过高压变压器3变成高达几十千伏的高压交流电,再经过二极管整流单元4变成所需要的高压整流电,加在极丝5和极板6间。使用HVT80测量现有电除尘极丝和极板间的闪络放电,从测量图中可以得出,峰值电流大约为50V / 2 Ω = 25 A,高频谐振的持续时间大约为 2.5 μs,这种频率高达兆赫兹的高频谐振和电流持续的通过二极管整流单元4,造成二极管整流单元4内部整流单元损坏。
现有技术中,中国专利95250296.8公开了一种静电收尘器高频逆变电压电源装置,该装置采用IPM智能功率模块对整流滤波后的电源进行高频逆变,对外部短路、过滤、欠压反应较快。另一个中国专利01279838X公开了一种高频高压逆变脉冲电源,该电源采用IGBT作为逆变元件,并在电容滤波器输出端和逆变全桥电路之间设有工作电流检测和提供过电流保护的电流检测电路。但是上述二项专利技术都不能消除由于在电除尘内部极板极线之间发生闪络而产生一定振幅并且频率高达兆赫兹的谐振电压和电流。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种防止高频谐振的整流变压器装置,该整流变压器装置加装阻尼电阻后,能很好的保护二极管整流单元内部整流单元,从而保证变压器正常运行,提高除尘效率。
为了实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种防止高频谐振的整流变压器装置,包括整流器、大电容、逆变器、高压变压器、二极管整流单元和阻尼电阻,首先将三相输入电源经整流器整流成直流,然后用大电容存储电能,再通过逆变器逆变成交流电,通过高压变压器变成高达几十千伏的高压交流电,再经过二极管整流单元整流后输出串接一个阻尼电阻,再输出高压整流电加在极丝和极板间。
所述阻尼电阻为200欧800瓦。
本实用新型通过在二极管整流单元整流后输出串接一个阻尼电阻,再输出高压整流电加在极丝和极板间,所述阻尼电阻为200欧800瓦,能很好的保护二极管整流单元内部整流单元,减少高频高幅度的谐振电流,从而保证变压器正常运行,提高除尘效率。
附图说明
图1为现有电除尘用整流变压器装置的工作原理示意图;
图2为本实用新型防止高频谐振的整流变压器装置电路示意图。
图中:1整流器,2逆变器,3变压器,4二极管整流单元,5极丝,6极板。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明。
参见图2,一种防止高频谐振的整流变压器装置,包括整流器1、大电容C、逆变器2、高压变压器3、二极管整流单元4和阻尼电阻R,首先将三相输入电源L1、L2、L3经整流器1后整流成直流,然后用大电容C存储电能,再通过逆变器2逆变成500Hz的交流电,通过高压变压器3变成高达几十千伏的高压交流电,再经过二极管整流单元4整流后输出串接一个阻尼电阻R,再输出变成所需要的高压整流电,加在极丝5和极板6间。
具体的实施例为:高频整流变压器正常工作时额定电压为90KV、额定电流为2A,极板6与极丝5之间阻抗为90KV/2A=45千欧,当串入200欧800瓦的阻尼电阻R时工作电流为90KV/(45千欧+200欧)=1.99A,可见正常工作时不影响除尘效果。
现有技术中的电除尘用整流变压器装置未串入阻尼电阻R时高频谐振电压大约为50 V ,峰值电流大约为50 V / 2 Ω = 25 A,高频谐振的持续时间大约为 2.5 μs,这种频率高达兆赫兹的高频谐振和电流持续的通过二极管整流单元4,造成二极管整流单元4内部整流单元损坏。
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