[实用新型]一种适用于两节锂电池保护芯片CMOS基准源

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种电池保护芯片CMOS基准源，具体是指一种适用于两节锂电池保护芯片CMOS基准源。

背景技术

在模拟、数模混合、数字电路中都经常会用到基准源电路。基准源电路的稳定性直接关系到整个电路的性能。低功耗、高精度、小型化是当今电池管理芯片的发展趋势，更是满足应用的必然要求，研究电池管理芯片的低功耗有重要的实用价值。传统的基准设计采用基于双极性晶体管带隙基准暴露出两个缺点：占用芯片面积很大，不利于降低成本；双极性晶体管的模型参数很难精确提取。另外传统的模拟电路中，MOS管工作在强反型区也意味着需要更多的功耗，在低功耗设计中可以将工作区域进行拓展，以求得功耗和面积之间的平衡。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种适用于两节锂电池保护芯片CMOS基准源，用于保护芯片比较器关于过充电，过放电，过电流的保护基准，实现低温度系数、低功耗。

本实用新型的目的通过下述技术方案实现：

本实用新型一种适用于两节锂电池保护芯片CMOS基准源，包括依次连接在V_DD电源和V_SS接地之间的启动电路、PTAT产生电路、CTAT产生电路、第一基准产生电路、第二基准产生电路，所述的PTAT产生电路还分别与第一基准产生电路、第二基准产生电路连接，所述的CTAT产生电路还与第二基准产生电路连接，还包括分别与启动电路、PTAT产生电路连接的第一关断控制电路，分别与CTAT产生电路、第一基准产生电路、第二基准产生电路连接的第二关断控制电路，在所述第二基准产生电路上连接有第三关断控制电路。

所述的启动电路包括三个MOS管，即MP1、MP2、MN1，其中MP1的源极连接到V_DD电源，MP1栅极和漏极连接后再连接到MP2的栅极，MP2的栅极连接到MN1的栅极，MN1的源极和漏极都连接到V_SS接地，MP2的源极和漏极均与PTAT产生电路连接，同时，MP2的源极与第一关断控制电路连接。

所述PTAT产生电路包括6个MOS管和1个电阻，即：MP3、MP4、MP5、MP6、MN2、MN3、以及电阻R1，其中MP3、MP4源极相连作为电源输入端，共同连接到V_DD电源，MP5源极连接MP3漏极，MP6源极连接MP4漏极，MP3、MP4、MP5、MP6的栅极相连后与第一关断控制电路连接，MN2管栅极和漏极相连后与MP5的漏极连接，MN3的漏极同时与MP6的漏极、栅极相连，MN2、MN3的栅极相连，MN3的源极和电阻R1连接后，与MN2的源极共连接到V_SS接地，MP6的栅极和漏极相连后作为PTAT产生电路的输出端口分别与CTAT产生电路、第一基准产生电路、第二基准产生电路连接。

所述CTAT产生电路包括6个MOS管和1个电阻，即MP7、MP8、MP9、MP10、MN4、MN5、以及电阻R2，其中MP7、MP9的源极相连作为电源输入端，共同连接到V_DD电源，MP8源极与MP7漏极相连，MP10源极与MP9漏极相连，MP7、MP8的栅极相连后作为CTAT产生电路的输入口与PTAT产生电路的输出端口连接，MP9的栅极、MP10的栅极、MP10的漏极相连后作为CTAT产生电路的输出端口，该输出端口与第二关断控制电路的输出连接后分别与第一基准产生电路、第二基准产生电路连接，MP8的漏极分别与MN5的管栅极、MN4的漏极连接，MP10的漏极连接到MN5的漏极，MN5的源极与MN4的栅极连接后通过电阻R2连接到V_SS接地， MN4的源极连接到V_SS接地。

所述第一基准产生电路包括4个MOS管和一个电阻，即：MP11、MP12、MP13、MP14、以及电阻R3，其中MP11、MP13源极相连作为电源输入端，共同连接到V_DD电源，MP12源极与MP11漏极连接，且 MP11、MP12的栅极相连后与CTAT产生电路的输出端口连接，MP14源极与MP13漏极连接，且MP13、MP14的栅极相连后与PTAT产生电路的输出端口连接，MP12、MP14的漏极相连后作为第一基准产生电路的输出V_REF1，同时通过电阻R3与V_SS接地。