[实用新型]带斩波低温度系数的带隙基准电压源电路

权利要求书

1.带斩波低温度系数的带隙基准电压源电路，包括振荡器、电平转移电路、带隙基准电压源、低电压输出部分，其特征在于：振荡器产生的两路正交时钟分别与电平转移电路连接，电平转移电路与带隙基准电压源连接，带隙基准电压源产生的带隙电压与低电压输出部分连接，最后由低电压输出部分产生的电压提供振荡器的电源，并形成一个整体。

2.根据权利要求1所述的带斩波低温度系数的带隙基准电压源电路，其特征在于：所述的带隙基准电压源由镜像设置的二个晶体管及分压电阻、调制器、第一级放大器、解调器、第二级放大器、源级跟随器、二阶滤波器构成，镜像设置的第一晶体管和第二晶体管的基极与集电极共同连接信号的地端，第一晶体管的发射极与第一电阻、第二电阻串联连接，第二晶体管的发射极与第三电阻串联连接，第一电阻与第二电阻的公共端、第二晶体管发射极与第三电阻的公共端分别连接调制器的二个输入端，所述调制器的两个输出端分别连接第一级放大器的二个差分输入端，第一级放大器的左右两路可选输出端分别连接解调器的二个输入端，所述解调器的输出端连接第二级放大器输入端，第二级放大器输出端与源级跟随器输入端连接，源级跟随器输出端连接到第二电阻与第三电阻公共端，构成带隙基准电压源；同时源级跟随器输出端与二阶滤波器输入端连接，二阶滤波器输出滤波后的带隙基准电压。

3.根据权利要求2所述的带斩波低温度系数的带隙基准电压源电路，其特征在于：所述的第一级放大器由尾电流PMOS晶体管M1、二个输入差分对PMOS晶体管(M2，M3)、四个可交换输出的镜像电流漏管(M4，M5，M6，M7)构成；尾电流PMOS晶体管M1的漏极分别与二个输入差分对PMOS晶体管(M2，M3)的源极相连，M1的源极接电源电压，M1的栅极连接一个偏执电压来控制放大器的电流；M4的漏端和M6的源端连接在一起与M2的漏端相连；M5的漏端和M7的源端连接在一起与M3的漏端相连；M4和M5的栅极连接在一起，并与M6的漏端和M7的漏端连接在一起，M4的源端和M5的源端连接到地。

4.根据权利要求2所述的带斩波低温度系数的带隙基准电压源电路，其特征在于：所述的第二级放大器由输入NMOS管M9、补偿电容C1、尾电流源PMOS晶体管M8构成；M8的源级接电源电压，M8的漏极和M9的漏级相连，M9的源极接地，补偿电容两端分别接到M9的栅极和源级。

5.根据权利要求2所述的带斩波低温度系数的带隙基准电压源电路，其特征在于：所述的二阶滤波器由二个电阻和二个电容构成，二个电阻串联在一起，一端为二阶滤波器输入端，另一端为输出端；二个电容串联在一起，且串联在一起的电容一端连接在二个电阻的公共端，另一端连接在二阶滤波器的输出端上。