[实用新型]单晶炉勾形磁场冷却水路系统有效
申请号: | 201120024965.6 | 申请日: | 2011-01-26 |
公开(公告)号: | CN202000022U | 公开(公告)日: | 2011-10-05 |
发明(设计)人: | 焦尚彬;蒋剑 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 罗笛 |
地址: | 710048*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 单晶炉勾形 磁场 冷却 水路 系统 | ||
1. 单晶炉勾形磁场冷却水路系统,其特征在于,包括进水口及出水口设置有直插水嘴(3)的磁场线圈(4)、出水口设置有直插水嘴(3)的总出水分水器(1)、进水口设置有直插水嘴(3)的总进水分水器(5),所述的磁场线圈(4)的进水口通过橡胶软管(2)与总进水分水器(5)相连接,所述的磁场线圈(4)的出水口通过橡胶软管(2)与总出水分水器(1)相连接。
2. 根据权利要求1所述的单晶炉勾形磁场冷却水路系统,其特征在于,所述的直插水嘴(3)由三个锥面及三个直段交错组成,中心为过水通孔。
3. 根据权利要求2所述的单晶炉勾形磁场冷却水路系统,其特征在于,所述的锥面分别为30度、30度、45.6度。
4. 根据权利要求1所述的单晶炉勾形磁场冷却水路系统,其特征在于,所述的直插水嘴(3)采用紫铜或304不锈钢制成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安理工大学,未经西安理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120024965.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种分体式复合静电纺丝装置
- 下一篇:一种电镀用管套挂具卡扣