[实用新型]一种LED发光晶元芯片封装结构无效

专利信息
申请号: 201120026783.2 申请日: 2011-01-26
公开(公告)号: CN201946598U 公开(公告)日: 2011-08-24
发明(设计)人: 李志勇 申请(专利权)人: 深圳市众能达光电子有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/64
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518040 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 led 发光 芯片 封装 结构
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及LED灯技术,具体是一种LED发光晶元芯片封装结构。

背景技术

目前LED发光体结构采用单颗LED发光晶元封装即LED发光二极管结构,光学输出功率较小,光学结构一次封装成形,无法在成形的LED发光二极管上修改光学结构。因为LED发光二极管为单颗LED发光晶元封装,LED晶元发生损坏即LED发光二极管无法使用的问题。LED发光二极管不能进行大功率的输出,限制的适用范围。而且,LED发光二极管,热量产生后,只能在引脚两小细连接金属上散热,散热处理难,效果差。

实用新型内容

针对上述问题,本实用新型旨在提供一种将多颗LED发光晶元封装在一个芯片中的高密度LED发光晶元芯片封装。

为实现该技术目的,本实用新型的方案是:一种LED发光晶元芯片封装结构,包括LED发光晶元和金属基板,所述金属基板面布设有绝缘导热晶元槽,LED发光晶元均匀放置于该晶元槽,每一颗LED发光晶元按并串联的方式通过金属线连接在一起,并连到正负极的基点上;LED发光晶元上固化有高温树脂。

本结构的有益效果:使用多点封装,体积小;相同晶元功率下,光功率输出比LED发光二极管会高出许多;LED发光晶元排列基板面上,发光角度为180度,形成后的芯片,只需要在芯片上面添加光学仪器即可修改光学角度,修改光学角度容易;芯片内部LED晶元密集度高,最大化减少电流传输损耗,采用并串联结构连接,在芯片内部单颗LED晶元损坏情况下,不会导致整颗芯片损坏,无法工作,也不会产生电压偏高、电流过大而产生整串死点的情况;而且芯片中的LED晶元贴面金属基板,热量传导容易,散热性能好。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步详细说明。

如图1所示,本实用新型的一种LED发光晶元芯片封装结构,包括LED发光晶元3和金属基板1,所述金属基板面布设有绝缘导热晶元槽2,LED发光晶元3均匀放置于该晶元槽2,每一颗LED发光晶元3按并串联的方式通过金属线连接在一起,并连到正负极的基点4上;LED发光晶元3上固化有高温树脂。

具体制造过程:

先开一个金属基板,金属基板可以使用铜合金、铝合金等金属基板,在金属基板面布上绝缘导热晶元槽;在晶元槽上均匀放置晶元;用金属线(金导电电阻小)基板上的每一颗晶元按并串联的方式连接在一起,并连到正负极的基点上;在连接好线路的晶元上打上高温树脂,并放进高温烤箱把树脂固化在基板上,完成芯片封装。

以上所述,仅为本实用新型的较佳实施例,并不用以限制本实用新型,凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同替换和改进,均应包含在本实用新型技术方案的保护范围之内。

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