[实用新型]真空结晶装置

说明书

技术领域

本实用新型属于化工技术领域，具体涉及一种对无机盐类进行结晶提取的真空结晶装置。

背景技术

真空结晶是指在真空环境下，含有无机盐溶质的溶液的溶剂气化蒸发，蒸发的同时带走了溶液的热量，使得溶液温度降低、溶解度降低，无机盐从溶液中结晶析出。目前，真空结晶技术已经在粘胶纤维、食品、化工行业中得到了广泛的应用。

现有技术中，中国专利CN1090982C公开了一种用于化纤生产过程中硫酸钠回收的过堰搅拌真空连续硫酸钠结晶的装置，该装置由结晶器、预冷器、浴液冷凝器、脱气罐、增浓器、脱水机、盐浆泵组成，工作时，首先将浓缩纺丝浴泵入预冷器预冷后，进入多级结晶器结晶成盐浆，再将盐浆泵入增浓器增浓，增浓后的盐浆中仍含有较多的水分，所以将其输送到脱水机进行固液分离，增浓后的母液经另一脱气罐进入浴液冷凝器，对预冷器蒸放出的蒸气进行冷凝，同时自身得到直接加热，升温后回到纺丝浴槽循环使用；脱盐后的母液则经脱气罐再次进入多级结晶器进行结晶分离，最后获得硫酸钠结晶。

在上述技术中，由于低温浴液要依次流过多级结晶器，而随着浴液逐渐由结晶室K1到K4，浴液的浓度逐渐增大，浴液呈盐浆态，在该盐浆态时液体的流动性降低，为防止结晶物沉淀凝固，所以该技术中采用过堰折流搅拌。但是采用过堰折流搅拌，即过堰折边板式搅拌，该搅拌方法主要是通过板式搅拌来引导浴液搅动，但是这种搅动只能局限于靠近所述过堰折边的区域内，在远离所述过堰折边的区域则无法对浴液进行充分、均匀的搅拌，这样就会导致浴液受到不均匀的搅拌，使得在搅拌过程中结晶形成的晶核尺度不一，导致最终结晶析出的晶体的粒度分布不均匀，表现为在未得到充分搅拌的区域晶核普遍较大，而在得到充分搅拌的区域晶核普遍较小。再者，由于结晶析出的晶体没有得到充分的搅拌，而晶体又很容易沉积，所以晶体将会在结晶器的底部形成不容易溶解的沉积层，影响了产率，也加大了结晶器的清洗难度。

此外，多级结晶器是由多个结晶腔室构成，所述多个结晶腔室之间是通过较为狭小的通道贯通连接的。硫酸钠在结晶过程中一旦无法得到充分地搅拌那么就极易结块，这些结块很容易将上述狭小的通道堵塞，一旦堵塞将使得结晶程序无法继续，不得不停止生产程序对结晶器进行清洗处理，这样直接影响了结晶器的结晶处理效率。

实用新型内容

本实用新型所要解决的第一个技术问题是现有技术中的真空结晶装置采用过堰折流搅拌无法实现对浴液的均匀搅拌，导致在搅拌过程中结晶形成的晶核尺度分布不均匀，影响了产品的质量，进而提供一种可以对浴液进行充分且均匀的搅拌、保证晶核具有较为均匀的粒径分布的真空结晶装置。

本实用新型所要解决的第二个技术问题是现有技术中的真空结晶装置采用过堰折流搅拌无法实现对浴液的均匀搅拌，而硫酸钠晶体很容易沉积、使得在真空结晶装置的底部形成难以溶解的沉积层，进而提供一种不会在结晶装置底部出现沉积层的真空结晶装置。

本实用新型所要解决的第三个技术问题是现有技术中的真空结晶装置采用过堰折流搅拌无法实现对浴液的均匀搅拌，而硫酸钠晶体极易结块，容易因结块而堵塞多级真空结晶装置中的相邻结晶腔室之间的连通通道，影响生产进程，进而提供一种不会出现硫酸钠晶体结块堵塞、保证盐浆在腔室之间顺畅流通的真空结晶装置。

为此，本实用新型采用的技术方案如下：

一种真空结晶装置，包括多个上部设置有排气口的真空结晶腔室，相邻两个所述真空结晶腔室之间通过腔室通道相连通，沿溶液的流动方向，在第一个真空结晶腔室上部设置进液口，在其余真空结晶腔室中的至少一个真空结晶腔室的底部设置出液口，在所述出液口处设置可控制所述出液口开闭的控制阀；

在每个所述真空结晶腔室底部设置有多个中空的空气排管，所述空气排管的一端贯通所述真空结晶腔室与大气相连通，位于腔室内的一端为封闭设置，所述空气排管位于所述真空结晶腔室内的部分设有多个布气孔。

所述空气排管垂直于水平面设置。

所述空气排管位于所述真空结晶腔室内的部分呈“田”字形。

所述空气排管沿所述真空结晶腔室的内壁设置。

一种真空结晶系统，其包括真空泵、真空结晶装置、增浓器和离心分离装置，所述真空泵和所述真空结晶装置的排气口相连通，所述离心分离装置和所述增浓器的出液口相连接；

所述真空结晶装置，包括多个上部设置有排气口的真空结晶腔室，相邻两个所述真空结晶腔室之间通过腔室通道相连通；