[实用新型]一种单面放电管集成芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及放电管技术领域，特别是涉及一种单面放电管集成芯片。

背景技术

放电管由一只封闭的管子及置于其中的两个电极和气体或半导体构成，一般用来检验设备上的带电状况、泄漏设备上不应带的电荷，尤其是用来泄放通信设备上不应带的电荷。

现有的半导体管制造工艺一般分为三个步骤：(1)将两导体极焊于半导体片两面；(2)将焊上电极的半导体置于注塑模内；(3)注塑料冷却后即得半导体放电管。

具体点，放电管的制造流程一般包括芯片制造(衬底制造和管芯制造)和芯片封装过程。衬底制造过程包括三重扩散(N+予扩，N+主扩，N+氧化)和磨抛(磨片，抛光)。管芯制造过程包括基区制造(硼预扩，硼氧化，硼主扩)-发射区制造(磷预扩，磷主扩)-终端保护(台面腐蚀，玻璃电泳)-引线孔制造(基区引线孔，发射区引线孔)-正面电极制备(正面蒸铝，光刻铝、铝合金)-背面电极制备(背面蒸金)-中测-裂片。芯片封装包括粘片、键合、塑封、电镀、切筋以及测试。

目前市场上出现的放电管全部都是双面放电管芯片(如图1、图2所示)，双面放电管芯片的正面和背面均形成有放电管，双面放电管芯片在制造工艺过程中，都需要经过双面抛光、双面磨片、双面氧化以及双面扩散等步骤，成本较高，而且双面放电管封装过程也较为复杂，在一定程度上也增加了封装成本。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种单面放电管集成芯片，以解决现有技术中双面放电管制造工艺复杂、成本较高等缺点。

本实用新型的技术方案：一种单面放电管集成芯片，包括N型衬底与形成在该N型衬底正面或背面的P扩散区和N+扩散区，所述N+扩散区设于P扩散区内。

本实用新型中，所述P扩散区为对称设置。

本实用新型具有的有益效果：采用本实用新型所述单面放电管集成芯片，克服了现有技术双面放电管芯片制造工艺复杂、成本较高(一般每个0.5元左右)等缺点，将两个放电管封装并集成到芯片的一个表面上，制造工艺简单(只需要单面抛光、单面磨片、单面氧化、单面扩散，也就是只需对硅片的扩散面进行操作即可)，节约了大量人力物力，降低了碎片、废片的几率，并具有芯片成本低(一般每个0.4元左右)、封装简便等优点，同时也降低了封装成本，而且成品率达到98％以上。

附图说明

图1是现有技术双面放电管芯片的平面图；

图2是现有技术双面放电管芯片的剖面图；

图3是本实用新型所述单面放电管集成芯片的平面图；

图4是本实用新型所述单面放电管集成芯片的剖面图。

具体实施方式

为使对本实用新型的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，用以较佳的实施例及附图配合详细的说明，说明如下：

图3是本实用新型所述单面放电管集成芯片的平面图，如图所示。本实施例中的一种单面放电管集成芯片，包括N型衬底与形成在该N型衬底正面或背面的P扩散区和N+扩散区，所述N+扩散区设于P扩散区内。

在本实用新型的优选实施例中，将芯片中的放电管做成单面结构，也就是说该放电管形成于该N型衬底的同一表面(如图4所示)。

上述中，P扩散区可以为对称设置，但是也可以是非对称设置，但是P扩散区必须是在N型衬底的同一表面。

由此可知，采用本实用新型所述单面放电管集成芯片，克服了现有技术双面放电管芯片制造工艺复杂、成本较高(一般每个0.5元左右)等缺点，将两个放电管封装并集成到芯片的一个表面上，制造工艺简单(只需要单面抛光、单面磨片、单面氧化、单面扩散，也就是只需对硅片的扩散面进行操作即可)，节约了大量人力物力，降低了碎片、废片几率，并具有芯片成本低(一般每个0.4元左右)、封装简便等优点，同时也降低了封装成本，而且成品率达到98％以上。

综上所述，仅为本实用新型的较佳实施例而已，并非用来限定本实用新型实施的范围，凡依本实用新型权利要求范围所述的形状、构造、特征及精神所为的均等变化与修饰，均应包括于本实用新型的权利要求范围内。