[实用新型]一种用于HDMI接口保护的TVS管

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体芯片的制造领域，特别是涉及一种用于HDMI(High-Definition Multimedia Interface，简称HDMI，高清晰度多媒体接口)接口保护的瞬态电压抑制(以下简称“TVS”管)。

背景技术

TVS管是一种新型的半导体保护器件，并联在电路中以实现电路防静电保护，TVS管的原理是利用二极管的雪崩效应，当电压达到击穿电压时，TVS管进入伏安特性的雪崩击穿区，流过TVS管的电流急剧增大，而TVS管两端的电压几乎不变，从而使大电流旁路并使电压钳位置被保护的电路能经受住的范围内，使得设备被静电损害的几率大大降低。

HDMI(High-Definition Multimedia Interface)，即高清晰度多媒体接口。这种HDMI最新数字音频和视频接口，将会取代目前所有DVD播放机、电视机、显示器的接口。应用HDMI的好处是：只需要一条HDMI线，便可以同时传送视频信号，而不像现在需要多条线来连接。HDMI标准最大的优势在于提供高达5Gbps的数据传输带宽，可以传送无压缩的音频信号及高分辨率视频信号，而且可以保证最高质量；同时无需在信号传送前进行数/模或者模/数转换。

采用常规TVS管对HDMI接口进行静电、浪涌保护时，经常出现信号抖动、花屏、画质音质降低等情况。经过对大量实验数据进行分析，超过1pF的电容就有可能对HDMI接口的数据传输造成损害。

因此，本实用新型针对现有技术的缺点，能够生产出小于1pF电容的TVS管，在保证HDMI接口正常传输数据的前提下，对HDMI接口进行静电、浪涌的保护。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种用于HDMI接口保护的TVS管，本实用新型采用提高芯片电阻率，浅结扩散工艺实现了小于1pF电容的TVS管，在保证HDMI接口正常传输数据的前提下，对HDMI接口进行静电、浪涌的保护。

本实用新型的技术方案：一种用于HDMI接口保护的TVS管，包括N型衬底以及在该N型衬底的一面形成的P扩散区，该N型衬底材料的电阻值为30Ω/□。

本实用新型中，该P扩散区结深为0.8～0.9um。

本实用新型中，所述TVS管面积为0.26mm*0.26mm。

本实用新型中，所述TVS管的电容值范围为0.8～0.85pF。

本实用新型具有的有益效果：采用本实用新型所述用于HDMI接口保护的TVS管，能够生产出电容值在1pF以下的TVS管，并且在保证HDMI接口正常传输数据的前提下，对HDMI接口进行静电、浪涌的保护。

附图说明

图1为本实用新型所述用于HDMI接口保护的TVS管的剖面图。

【图号对照说明】

1N型衬底    2P扩散区

具体实施方式

为使对本实用新型的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，用以较佳的实施例及附图配合详细的说明，说明如下：

图1是本实用新型所述用于HDMI接口保护的TVS管的平面图，如图所示。本实施例中的一种用于HDMI接口保护的TVS管，包括N型衬底1以及在该N型衬底1的一面形成的P扩散区2，该N型衬底1的材料的电阻值为30Ω/□，该P扩散区2的结深为0.8～0.9um。

在相同的工艺条件下，硅片的电阻率越大，芯片的电容值越小；有源区的结深越浅，TVS管的电容值越小；芯片面积越小，芯片的电容值越小。本实用新型对大量的实验数据进行分析，选择硅片的电阻值30Ω/□，有源区结深范围控制在0.8～0.9um，芯片面积为0.26mm*0.26mm，生产的TVS管的电容值范围在0.8～0.85pF，满足了HDMI接口对TVS电容值的要求，并且在保证HDMI接口正常传输数据的前提下，对HDMI接口进行静电、浪涌的保护。

综上所述，仅为本实用新型的较佳实施例而已，并非用来限定本实用新型实施的范围，凡依本实用新型权利要求范围所述的形状、构造、特征及精神所为的均等变化与修饰，均应包括于本实用新型的权利要求范围内。