[实用新型]一种电子束高效、连续熔炼提纯多晶硅的设备

权利要求书

1.一种电子束高效、连续熔炼提纯多晶硅的设备，其特征是：设备由四个腔室组成，即加料真空闸室（4）、真空室（11）、出料真空闸室（30）、收集室（29），加料真空闸室（4）安装在真空室上方，并通过落粉真空阀门（41）相连通，出料真空闸室安装在真空室下方，并通过落料真空阀门（18）相连通，收集室与出料真空闸室通过落料盖（26）相连通；其中加料真空闸室（4）顶部带有装粉盖，装粉盖下部安装上装粉桶（3），上装粉桶（3）出粉口对应落粉真空室门，落粉真空阀门连通其下方真空室内安装的下装粉桶，下装粉桶出料口下方放置硅块，硅块放置在坩埚中，坩埚出料口与倾斜铜槽上端连通，倾斜铜槽底端连通收集筒，收集筒底部出口对应落料真空阀门，落料真空阀门连通其下方安装的出料真空闸室，出料真空阀室内装有冷却筒，冷却筒出料口通过落料盖连通收集室；电子枪（6）安装在真空室（11）上方位置，电子束流对准硅锭。

2.根据权利要求1所述的一种电子束高效、连续熔炼提纯多晶硅的设备，其特征是：所述加料真空闸室（4）、真空室（11）、出料真空闸室（30）壁体上分别装有抽真空装置，抽真空装置采用机械泵、罗茨泵和扩散泵；各真室壁体上还设有放气阀。

3.根据权利要求1所述的一种电子束高效、连续熔炼提纯多晶硅的设备，其特征是：所述冷却装置通过冷却支撑杆分别连通坩埚、倾斜铜槽和收集筒。

4.根据权利要求1所述的一种电子束高效、连续熔炼提纯多晶硅的设备，其特征是：所述下装粉桶（40）底部出料口采用均匀布置的若干个通孔。

5.根据权利要求4所述的一种电子束高效、连续熔炼提纯多晶硅的设备，其特征是：下装粉桶（40）底部出料口采用17个等径通孔，中心开1个通孔，外两圈以45°为夹角开孔，每圈开8个孔。

6.根据权利要求1所述的一种电子束高效、连续熔炼提纯多晶硅的设备，其特征是：所述倾斜铜槽（14）截面形状为矩形内开设一个120°圆弧区域，深度为总高度的一半。

7.根据权利要求4所述的一种电子束高效、连续熔炼提纯多晶硅的设备，其特征是：所述真空炉壁（10）底部安装有支撑腿（27）。