[实用新型]一种电流均匀分布的LED晶片无效
| 申请号： | 201120036384.4 | 申请日： | 2011-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN201985157U | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 樊邦扬;叶国光;梁伏波;杨小东;孔利平 | 申请（专利权）人： | 广东银雨芯片半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/38;H01L33/64 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电流 均匀分布 led 晶片 | ||
【权利要求书】：
1.一种电流均匀分布的LED晶片，包括N型半导体层，形成于N型半导体层上的发光层，形成于发光层上的P型半导体层，所述P型半导体层表面设置有与N型半导体层连通的沟槽，形成于所述沟槽的负电极以及形成于P型半导体层的正电极，其特征在于：所述沟槽为一对称的“E”形沟槽，所述对称的“E”形沟槽布满所述N型半导体层上，所述负电极设置在所述对称的“E”形沟槽上对应形成对称的“E”形负电极，所述正电极环绕在所述对称的“E”形负电极的周围。
2.根据权利要求1所述电流均匀分布的LED晶片，其特征在于：所述正电极形成的图形线条至负电极形成的图形线条间隔距离相等。
3.根据权利要求1或2所述电流均匀分布的LED晶片，其特征在于：在所述N型半导体层的底部还设置有一层衬底。
4.根据权利要求3所述电流均匀分布的LED晶片，其特征在于：所述衬底与N型半导体层之间还设置有一层缓冲层。
5.根据权利要求4所述电流均匀分布的LED晶片，其特征在于：在所述P型半导体层的表面形成有一层透明导电层，所述正电极设置在所述透明导电层上。
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