[实用新型]双面钝化高效硅太阳电池

说明书

技术领域

本实用新型涉及高效晶硅太阳电池研究及生产技术领域，尤其是一种双面钝化高效硅太阳电池。 

技术背景

晶体硅太阳电池占据了国际光伏市场的90％以上的份额，目前的晶硅太阳电池制作工序是：硅片制绒清洗、扩散工艺、刻蚀周边工艺、去磷硅玻璃工艺、正面沉积减反射SiNx薄膜，丝网印刷正面和背面电极、隧道烧结形成正面和背面电极结束整个工艺流程。如何进一步提高效率，降低成本是国内外晶体硅太阳电池研究领域的基本目标。 

实用新型内容

本实用新型的目的是提供了一种新型结构的双面钝化高效硅太阳电池，有效地提高晶体硅太阳电池的效率，适用于目前晶硅太阳电池的产业化生产。 

本实用新型采用如下技术方案： 

一种双面钝化高效硅太阳电池，包括有太阳电池硅片、正面电极和背面电极，其特征在于：所述的太阳电池硅片的迎光面设有减反射薄层，背面沉积有氧化铝钝化层，氧化铝钝化层上沉积有铝薄膜，所述的正面电极和背面电极分别设置于太阳电池硅的迎光面与背面。 

所述的双面钝化高效硅太阳电池，其特征在于：所述的减反射薄层为氮化硅薄膜，氧化铝钝化层采用氧化铝薄膜，厚度控制在10nm以内。 

本实用新型的优点： 

通过增加背面氧化铝钝化层，减小了背面的光生载流子复合速度，可以显著提高太阳电池的光电转换效率，并且常规的物理溅射工艺和化学汽相沉积工艺也是成熟的半导体和真空工业化沉积薄膜的工艺，很容易在目前太阳电池生产线上增加一道工序，成本略有提高，但收益要远远高于投入。 

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。 

具体实施方式

图1给出的是双面钝化高效太阳电池，其中包括太阳电池硅片3、太阳电池硅片3的迎光正面的钝化层2，在太阳电池的背面沉积一层氧化铝钝化层5，再在正表面和背表面上分别制作正面电极1和背面电极4，正面钝化薄层2是氮化硅薄膜而背面钝化薄层是采用氧化铝薄膜5，氧化铝薄膜的厚度控制在10nm以内，再在氧化铝薄膜上沉积一层铝薄膜6，收集扩散到背面的光生载流子，背面的银电极4是作为焊脚而设置的。