[实用新型]延伸电极及含有其的等离子体斜面蚀刻设备

权利要求书

1.一种延伸电极，其是用于在半导体衬底工艺中使用的等离子体斜面蚀刻器，其中，所述等离子体从半导体衬底的斜面边缘移除副产品沉积物，所述延伸电极包括：

环形体，其具有外圆周、内圆周、安装表面、以及从所述外圆周延伸到所述内圆周的等离子体暴露的截锥面，所述延伸电极可用于在对所述斜面蚀刻器的所述半导体衬底的所述斜面边缘进行清洁期间产生等离子体。

2.根据权利要求1所述的延伸电极，其中，所述外圆周在轴向方向比所述内圆周厚。

3.根据权利要求2所述的延伸电极，其中，所述截锥面的切面和所述延伸电极的径向平面之间的角度在2.5°至7.5°之间。

4.根据权利要求1所述的延伸电极，其中，所述内和外圆周与所述截锥面之间的转角为圆形。

5.根据权利要求1所述的延伸电极，其中，所述环形体是纯铝或铝合金的机械加工环。

6.根据权利要求1所述的延伸电极，还包括所述安装表面中的多个螺纹孔，所述孔适合于螺纹啮合安装螺栓。

7.根据权利要求1所述的延伸电极，其中，所述内圆周具有至少8英寸的内径，所述外圆周具有14.5英寸或更小的外径。

8.根据权利要求5所述的延伸电极，其中，所述截锥面作阳极化处理。

9.根据权利要求5所述的延伸电极，其中，所述截锥面被涂覆陶瓷涂层材料。

10.根据权利要求5所述的延伸电极，其中，所述截锥面包括在作粗糙化、阳极化处理的粗糙度为75到200微英寸的表面上的等离子体喷涂层。

11.根据权利要求9所述的延伸电极，其中，所述陶瓷涂层材料是等离子体喷镀的氧化钇涂层，该氧化钇涂层的厚度大约为0.002到0.008英寸。

12.一种等离子体斜面蚀刻设备，其是用于清洁具有8英寸或更大的直径的半导体衬底的斜面边缘，包括作为上延伸电极的根据权利要求1所述的延伸电极，其被设置高于所述半导体衬底的外圆周。

13.根据权利要求12所述的等离子体斜面蚀刻设备，还包括：

具有圆柱形顶部的下支架，所述半导体衬底被支撑在所述下支架的圆柱形顶部上；

支撑在所述下支架的所述顶部上的下等离子体排斥带环；

环绕所述下等离子体排斥带环的下环形电极，具有上等离子体暴露表面；

上电介质组件，其设置在所述下支架上面并且具有与所述下支架顶部相对的圆柱形底部；

上等离子体排斥带环，其环绕所述上电介质组件并且与所述下等离子体排斥带环相对；

环绕所述上等离子体排斥带环的所述上延伸电极；

至少一个射频电源，其适合在等离子体斜面蚀刻设备的操作期间激发至少一种工艺气体以产生等离子体，其中，所述等离子体用于清洁所述半导体衬底的所述斜面边缘。

14.根据权利要求13所述的等离子体倾斜蚀刻设备，其中，所述上等离子体排斥带环具有与所述上延伸电极的所述截锥面部分重叠的外凸缘。

15.根据权利要求13所述的等离子体斜面蚀刻设备，其中，所述上等离子体排斥带环和所述下等离子体排斥带环的外径大于、小于或等于所述衬底的直径。