[实用新型]防强电磁干扰射频电缆有效

专利信息
申请号: 201120046412.0 申请日: 2011-02-24
公开(公告)号: CN201994395U 公开(公告)日: 2011-09-28
发明(设计)人: 尹锋雷;毛文沛 申请(专利权)人: 江苏宏图高科技股份有限公司
主分类号: H01P3/06 分类号: H01P3/06
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林
地址: 211106 江苏省南京*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 电磁 干扰 射频 电缆
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种防强电磁干扰射频电缆,特别是涉及一种高强度电磁场、低频率电磁环境条件下防干扰的射频电缆,属于电缆技术领域。

背景技术

现有的射频电缆由内导体、绝缘层和外导体及护套组成,其中外导体为单层或双层编织铜丝,同时兼屏蔽功能,通常适用于高频率、低强度电磁场的场合,若在高强度电磁场、特别是较低频率的场合时,射频电缆所传输的射频信号和监控信号会受到严重干扰,导致图象变形、信号失真甚至信号中断,使一些监视、探测、自动化控制等技术手段难以在上述场合应用,影响技术进步。因此,需对射频电缆外导体的结构和材料进行合理的组合,使射频电缆在高低频率段、高强度电磁场的环境下都具有很强的抗干扰性能,同时避免不同金属材料接触因电位差而产生的电化反应,保证产品的使用寿命。

综上所述,现有技术亟待解决的问题是,需要能在一些高强度电磁场、频率较低的场合所使用的防强电磁干扰射频电缆。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是,提供一种防强电磁干扰射频电缆,其外导体为双层金属丝的编织层,内编织层采用良电导体的铜丝,外编织层采用良磁导体的钢丝。防强电磁干扰射频电缆的外导体采用双层不同材料组合,利用铜在高频率有优良防电磁场穿透、钢在低频有优良防磁场穿透的原理和特点,实现在高低频率段、高强度电磁场的场合下,射频电缆具有很强的抗干扰性能;同时,为解决不同金属材料接触因电位差而产生电化反应的缺陷,对内编织层和外编织层的材料进行合理的选择和组合。

为解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案是:一种防强电磁干扰射频电缆,该电缆包括:内导体、绝缘层、内编织层、外编织层以及护套,其特征在于,内导体外挤包绝缘层,绝缘层外设有内编织层、外编织层,最外层挤包护套。

所述的防强电磁干扰射频电缆中,内导体为铜导体、镀银铜导体、镀镍铜导体三种导体其中之一。

所述的防强电磁干扰射频电缆中,绝缘层由内导体外挤包聚乙烯、聚四氟乙烯、聚全氟乙丙烯三种绝缘材料其中之一构成。

所述的防强电磁干扰射频电缆中,内编织层为铜丝、镀锡铜丝、镀镍铜丝三种材料其中之一。

所述的防强电磁干扰射频电缆中,外编织层为镀锌钢丝、镀铜钢丝二种材料其中之一,与内编织层为不同的材料。

所述的防强电磁干扰射频电缆中,所述护套为聚氯乙烯、丁腈复合物、聚烯烃、聚四氟乙烯或聚全氟乙丙烯五种护套材料其中之一。

本实用新型的优点是,本实用新型所揭示的防强电磁干扰射频电缆的结构中包括:内导体、绝缘、内编织层、外编织层以及护套,通过以上内编织层采用良电导体铜丝、外编织层采用良磁导体钢丝的技术方案,显著增强了该射频电缆的防强电磁干扰的能力,该射频电缆中的所有构件能满足在强电磁干扰的环境下使用,实现信号正常传输;为解决不同金属材料接触因电位差而产生电化反应的缺陷,本方案采用内外编织层的不同镀层材料及组合,保证了产品长期使用寿命,促进了射频电缆技术在高低频率段、高强度电磁场的场合应用。产品适合于冶金、石油化工、工矿等有强电磁干扰的环境中进行射频信号和控制信号的传输。

附图说明

图1为本实用新型防强电磁干扰射频电缆的结构示意图。

具体实施方式

为进一步阐述本实用新型的技术方案,下面结合附图及具体实施例详细说明本实用新型的实施方式:

图1为本实用新型防强电磁干扰用射频电缆的横截面结构示意图,如图所示,其中包括:内导体1、绝缘2、内编织层3、外编织层4以及护套5,由内到外依次设置。

所述内导体1选用铜导体、镀银铜导体、镀镍铜导体其中之一;所述绝缘层2,为内导体1外挤包聚乙烯、聚四氟乙烯或者聚全氟乙丙烯三种绝缘材料其中之一构成;所述内编织层3,于绝缘层2外采用铜丝、镀锡铜丝、镀镍铜丝三种材料其中之一编织而成;所述外编织层4,于内编织层3外采用镀锌钢丝、镀铜钢丝的二种材料其中之一编织而成;所述护套5,为外编织层4外挤包聚氯乙烯、丁腈复合物、聚烯烃、聚四氟乙烯或聚全氟乙丙烯五种护套材料其中之一构成。

具体实施例1:

如图1所示,该防强电磁干扰用射频电缆包括:内导体1由铜导体外挤包聚乙烯形成绝缘层2,绝缘层2外采用铜丝编织形成内编织层3,再采用镀锌钢丝编织形成外编织层4,最后在外编织层4外再挤包聚氯乙烯形成护套5。

以上通过对所列实施方式的介绍,阐述了本实用新型的基本构思和基本原理。但本实用新型绝不限于上述所列实施方式,凡是基于本实用新型的技术方案所作的等同变化、改进及故意变劣等行为,均应属于本实用新型的保护范围。

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