[实用新型]桥式整流电路

权利要求书

1.一种桥式整流电路，包括：成电桥连接的整流部分(501，502，503，504)，包括位于电桥下侧的整流开关器件(503，504)；

其特征在于，该桥式整流电路还包括：

驱动部分(505a)，接收各整流开关器件(503，504)的相应驱动电压，并将上限值受限的驱动电压输出至相应整流开关器件(503，504)的控制端子。

2.如权利要求1所述的桥式整流电路，其特征在于，所述驱动部分还接收参考电压，并根据接收到的参考电压来限制驱动电压的上限值。

3.如权利要求2所述的桥式整流电路，其特征在于，还包括参考电压生成部分(505b)，用于生成所述参考电压。

4.如权利要求3所述的桥式整流电路，其特征在于，所述参考电压生成部分(505b)包括：

串联连接的电流源(5055)和齐纳二极管(5056)，其中所述电流源(5055)的电流(I1)流过所述齐纳二极管(5056)而生成所述参考电压(V_bias)。

5.如权利要求2所述的桥式整流电路，其特征在于，所述驱动部分(505a)包括开关器件(5051，5052)，以及所述驱动部分(505a)根据所述参考电压(V_bias)，并利用开关器件(5051，5052)的阈值电压，来将驱动电压的上限值限制为等于所述参考电压减去所述阈值电压的值。

6.如权利要求5所述的桥式整流电路，其特征在于，所述开关器件(5051，5052)包括：

第一开关器件(5051)，连接在相应的整流开关器件(503)的控制端子及针对该整流开关器件的驱动电压(IN2)之间，且该第一开关器件(5051)的控制端子接收所述参考电压(V_bias)；以及

第二开关器件(5052)，连接在相应的另一整流开关器件(504) 的控制端子以及针对该另一整流开关器件的驱动电压(IN1)之间，且该第二开关器件(5052)的控制端子接收所述参考电压(V_bias)。

7.如权利要求6所述的桥式整流电路，其特征在于，

所述第一开关器件(5051)包括第一金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，该第一MOSFET的栅极接收所述参考电压(V_bias)，源极连接至相应的整流开关器件(503)的控制端子，以及漏极连接至针对该整流开关器件(503)的驱动电压(IN2)；以及所述第二开关器件(5052)包括第二MOSFET，该第二MOSFET的栅极接收所述参考电压(V_bias)，源极连接至相应的另一整流开关器件(504)的控制端子，以及漏极连接至针对该另一整流开关器件(504)的驱动电压(IN1)。

8.如权利要求7所述的桥式整流电路，其特征在于，还包括：

与第一MOSFET并联的第一二极管(5058)；以及

与第二MOSFET并联的第二二极管(5059)。

9.如权利要求1所述的桥式整流电路，其特征在于，所述整流部分包括：

第一二极管(501)，连接在第一输入(IN1)与第一输出(OUT1)之间；

第二二极管(502)，连接在第二输入(IN2)与第一输出(OUT1)之间；

第一整流开关器件(503)，连接在第一输入(IN1)与第二输出(OUT2)之间，其控制端子连接至所述驱动部分以接收相应的驱动电压；以及

第二整流开关器件(504)，连接在第二输入(IN2)与第二输出(OUT2)之间，其控制端子连接至所述驱动部分以接收相应的驱动电压，

其中，所述第一二极管(501)、第二二极管(502)、第一开关器件(503)和第二开关器件(504)的电流传导路径构成电桥连接。

10.如权利要求9所述的桥式整流电路，其特征在于，

所述第一整流开关器件(503)包括第一NMOSFET，其漏极连接 至第一输入(IN1)，源极连接至第二输出(OUT2)，

所述第二整流开关器件(504)包括第二NMOSFET，其漏极连接至第二输入(IN2)，源极连接至第二输出(OUT2)。

11.如权利要求9所述的桥式整流电路，其特征在于，

所述驱动部分接收所述第二输入(IN2)处的电压作为所述第一整流开关器件(503)的驱动电压；以及所述驱动部分接收所述第一输入(IN1)处的电压作为所述第二整流开关器件(504)的驱动电压。