[实用新型]超介质智能加载天线无效

专利信息
申请号: 201120053425.0 申请日: 2011-03-01
公开(公告)号: CN202034481U 公开(公告)日: 2011-11-09
发明(设计)人: 曹卫平;李思敏;廖俊;高喜;于新华;姜彦南 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: H01Q9/30 分类号: H01Q9/30;H01Q15/00;H01Q21/00
代理公司: 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 代理人: 陈跃琳
地址: 541004 广*** 国省代码: 广西;45
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 介质 智能 加载 天线
【权利要求书】:

1.超介质智能加载天线,包括接地板(1)以及从接地板(1)上延伸出的天线阵列,其特征在于:所述天线阵列包括一单极子(2)和一圆柱形的超介质层(3),超介质层(3)围绕单极子(2)设置并与单极子(2)相耦合;上述超介质层(3)是由圆周方向上的N列以及铅垂方向上的M层的细圆柱形的金属棒(4)围绕而成的立体均匀圆阵列,其中N介于6~20之间,M介于5~20之间;上述每2层金属棒(4)之间设有绝缘介质使金属棒(4)的层与层之间绝缘隔离。

2.根据权利要求1所述的超介质智能加载天线,其特征在于:所述超介质层(3)的直径介于200~600mm之间。

3.根据权利要求1所述的超介质智能加载天线,其特征在于:所述金属棒(4)的直径介于2~40mm之间。

4.根据权利要求1~3中任意一项所述的超介质智能加载天线,其特征在于:上述N为12、M为10,即所述超介质层(3)由12列,10层共120根金属棒(4)组成。

5.根据权利要求1的超介质智能加载天线,其特征在于:在超介质层(3)铅垂方向的平面圆周内,即其中2层金属棒(4)之间的绝缘介质中加入至少一层馈源层(5)。

6.根据权利要求5所述的超介质智能加载天线,其特征在于:所述馈源层(5)为2层,且这2层馈源层(5)分别处于超介质层(3)上4/5和1/2的高度处。

7.根据权利要求1所述的超介质智能加载天线,其特征在于:所述单极子(2)的两端即馈电端口处与末端处均为锥削结构。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林电子科技大学,未经桂林电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120053425.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top