[实用新型]一种GSM交叉耦合无源微波器件无效
申请号: | 201120058794.9 | 申请日: | 2011-03-08 |
公开(公告)号: | CN202050039U | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | 胡学东;武帆 | 申请(专利权)人: | 南京东恒电子科技有限公司 |
主分类号: | H01P1/20 | 分类号: | H01P1/20;H01P5/00 |
代理公司: | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人: | 王鹏翔 |
地址: | 210061 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 gsm 交叉 耦合 无源 微波 器件 | ||
技术领域
本实用新型涉及的是一种微波器件,具体涉及的是一种GSM交叉耦合无源微波器件。
背景技术
现有的GSM交叉耦合无源微波器件,参见图1、图2和图3,包括腔体1和设置在腔体1上方的盖板4,腔体1中包括第一腔a、第二腔b和第三腔c,第二腔b和第三腔c零点的连接线处开有跨线槽2,在盖板4上安装有跨线卡3,跨线卡3设置在跨线槽2的正上方,且跨线卡3可上下运动,在跨线卡3上安装有交叉电感耦合。交叉电感耦合用于调节客户所要求指标中的零点的位置,但装配交叉电感耦合需要花去大量的时间,且产品装配后同样需要花去大量的时间去调节交叉电感耦合的强弱,因此浪费了大量的时间和精力,降低了工作效率。
实用新型内容
针对现有技术上存在的不足,本实用新型目的是在于提供一种可提高工作效率的GSM交叉耦合无源微波器件,具有结构简单,易生产,性能稳定,成本低廉和一致性好等特点。
为了实现上述目的,本实用新型是通过如下的技术方案来实现:
本实用新型包括腔体和设置在腔体上方的盖板,腔体中包括第一腔、第二腔和第三腔,在第二腔和第三腔零点的连接线处设有用于交叉耦合的跨线缺口。跨线缺口大小深度决定交叉耦合的强弱。
上述盖板上安装有调节螺栓,调节螺栓设置在跨线缺口的正上方。现有的电感交叉耦合应用中跨线槽大小深度决定跨线卡的位置深浅,本实用新型交叉耦合应用中跨线缺口大小深度决定调节螺栓的深浅,理论仿真完美时调节螺栓不需要深入腔体内部,但交叉电感耦合无论仿真是否完美,都需要跨线卡。
本实用新型具有以下有益效果:
(1)腔体不需要再打孔,简化了装配结构;(2)调试时,无需再调节电感交叉耦合的强弱来达到客户所要求指标中的零点的位置;(3)产品性能不会因为交叉电感耦合的膨胀系数变化而影响腔体本身的性能指标;(4)外形美观;(5)具有较强的实用性能。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式来详细说明本实用新型;
图1为本实用新型的现有技术主视图;
图2为图1的俯视图;
图3为图1除去盖板后的俯视图;
图4为本实用新型的主视图;
图5为图4的俯视图;
图6为图4除去盖板后的俯视图。
具体实施方式
为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本实用新型。
参见图4~图6,本实用新型包括腔体1和安装在腔体1上方的盖板4,腔体1中包括第一腔a、第二腔b和第三腔c,在第二腔b和第三腔c零点的连接线处设有用于交叉耦合的跨线缺口5。跨线缺口5的大小深度理论由实际要求种实际频段,所要求零点的多少及强弱,得出仿真耦合系数决定的,跨线缺口大小深度决定交叉耦合的强弱。
在盖板4上安装有调节螺栓6,调节螺栓6设置在跨线缺口5的正上方。现有的电感交叉耦合应用中跨线槽2大小深度决定跨线卡3的位置深浅,本实用新型交叉耦合应用中跨线缺口5大小深度决定调节螺栓6的深浅,理论仿真完美时调节螺栓6不需要深入腔体1的内部,但交叉电感耦合无论仿真是否完美,都需要跨线卡3。
本实用新型结构新颖,优化了无源微波器件的装配及调试时间,提高了工作效率,简化了腔体1的结构,同时,使得腔体1工作生产的工作效率达到了进一步的升级。
本实用新型由现有使用在GSM无源微波器件上的由铜线组成的交叉电感耦合替换成了直接在腔体1上开跨线缺口5的交叉耦合方式,其具有结构简单,易生产,性能稳定,成本低廉和一致性好等特点,并且此交叉耦合方式完全不影响GSM交叉耦合无源微波器件的性能指标。
本实用新型的GSM交叉耦合无源微波器件具体做法是:
(a)由实际要求中实际频段,得出相对带宽,然后根据1/4波长计算出腔体1大小;
(b)根据客户所要求指标中零点的多少,强弱,算出仿真耦合系数;
(c)再根据腔体1中固有频率来得出腔体1内部结构;
(d)采用直接在腔体1上开跨线缺口5的交叉耦合方式来代替现有的交叉耦合方式;
(e)根据前面各个步骤来完成本实用新型的设计。
本实用新型与现有技术相比,有以下几个优点:
(1)腔体1不需要再打孔,简化了装配结构;
(2)调试时,无需再调节电感交叉耦合的强弱来达到客户所要求指标中的零点的位置;
(3)产品性能不会因为交叉电感耦合的膨胀系数变化而影响腔体1本身的性能指标;
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