[实用新型]一种升压DC-DC的短路保护电路无效
| 申请号： | 201120059161.X | 申请日： | 2011-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN202009225U | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 蔡越 | 申请（专利权）人： | 深圳创维数字技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H7/10 | 分类号： | H02H7/10;H02H3/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;潘中毅 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 升压 dc 短路 保护 电路 | ||
1.一种升压DC-DC的短路保护电路，其特征在于，包括：二极管D1、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、MOS管M1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5，其中，
所述二极管D1的负极连接至升压DC-DC高电压输出端和负载，所述二极管D1的正极连接至三极管Q1的射极，所述三极管Q1的基极连接至通路开关ON/OFF，三极管Q1的集电极连接至三极管Q2的基极，所述三极管Q2的射极连接至电源VCC，三极管Q2的集电极连接至三极管Q3的基极，所述三极管Q3的射极接地，三极管Q3的集电极连接至三极管Q4的基极，所述三极管Q4的射极接地，三极管Q4的集电极连接至MOS管M1的栅极，所述MOS管M1的源极连接至前级电源，MOS管M1的漏极连接至升压DC-DC低电压输入端，所述通路开关ON/OFF连接至三极管Q4的基极，同时连接至三极管Q1的基极，所述三极管Q2的基极与三极管Q1的集电极之间设有电阻R1，所述三极管Q2的基极与三极管Q2的集电极之间设有电阻R2，所述三极管Q4的集电极与MOS管M1的栅极之间设有电阻R3，所述MOS管M1的栅极与MOS管M1的源极之间设有电阻R4，所述升压DC-DC输出端通过电阻R5接地。
2.如权利要求1所述的升压DC-DC的短路保护电路，其特征在于，所述三极管Q2的集电极与三极管Q3的基极之间设有电阻R6。
3.如权利要求1所述的升压DC-DC的短路保护电路，其特征在于，所述三极管Q4的基极与通路开关ON/OFF之间设有电阻R7。
4.如权利要求1所述的升压DC-DC的短路保护电路，其特征在于，所述三极管Q1的基极与通路开关ON/OFF之间设有电阻R8。
5.如权利要求1-4任一项所述的升压DC-DC的短路保护电路，其特征在于，还包括：与所述通路开关ON/OFF相连接的微处理器，所述微处理器控制所述通路开关ON/OFF输出用来控制升压DC-DC通路的开通/关断的开关信号。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳创维数字技术股份有限公司，未经深圳创维数字技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120059161.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
