[实用新型]高功率芯片封装构造及其导线架

权利要求书

1.一种高功率芯片封装构造的导线架，其特征在于：所述导线架包含：

一芯片承座，具有一上表面及一下表面，所述上表面到下表面之间的厚度至少为0.5毫米，所述上表面形成一容置空间，用以容置一粘着层，其中所述容置空间的一内底面另设有数个凸块；以及

数个接点，环绕排列于所述芯片承座的周围。

2.如权利要求1所述的高功率芯片封装构造的导线架，其特征在于：所述芯片承座的上表面到下表面之间的厚度介于0.5至2.8毫米之间。

3.如权利要求2所述的高功率芯片封装构造的导线架，其特征在于：所述容置空间是由所述芯片承座的上表面的数个侧壁部定义而成，所述侧壁部相对于所述容置空间的内底面的高度介于50至60微米之间。

4.如权利要求1所述的高功率芯片封装构造的导线架，其特征在于：所述凸块的表面为一弧形曲面或一锥形表面。

5.如权利要求1所述的高功率芯片封装构造的导线架，其特征在于：所述凸块相对于所述容置空间的内底面的高度至少为15微米。

6.如权利要求5所述的高功率芯片封装构造的导线架，其特征在于：所述凸块相对于所述容置空间的内底面的高度介于15至45微米之间。

7.如权利要求1所述的高功率芯片封装构造的导线架，其特征在于：所述粘着层相对于所述容置空间的内底面的厚度大于所述凸块的高度。

8.如权利要求1或7所述的高功率芯片封装构造的导线架，其特征在于：所述凸块的数量最少为4个，且所述凸块的一直径介于0.1至1.0毫米之间。

9.如权利要求1所述的高功率芯片封装构造的导线架，其特征在于：所述凸块是对称的排列于所述容置空间的内底面，且各二相邻所述凸块的一最小间距介于0.4至1.2毫米之间。

10.一种高功率芯片封装构造，其特征在于：所述高功率芯片封装构造包含：

一导线架，包含一芯片承座以及数个接点，所述芯片承座具有一上表面及一下表面，所述上表面到下表面之间的厚度介于0.5至2.8毫米之间，所述上表面形成一容置空间，所述容置空间的一内底面设有数个凸块；

所述数个接点环绕排列于所述芯片承座的周围；

一黏着层，容置于所述容置空间内；以及

一高功率芯片，具有一有源表面及一背面，所述背面贴接于所述黏着层上。