[实用新型]具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元无效
| 申请号： | 201120060225.8 | 申请日： | 2011-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN202018966U | 公开（公告）日： | 2011-10-26 |
| 发明（设计）人： | 张海鹏;齐瑞生;汪洋;赵伟立;刘怡新;吴倩倩;孔令军 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 杜军 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 纵向 沟道 soi ligbt 器件 单元 | ||
1.具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元，包括p型半导体衬底(1)、隐埋氧化层(2)、p埋层区(3)、n型轻掺杂漂移区(4)、栅氧化层(5)，其特征在于：
隐埋氧化层(2)覆盖在p型半导体衬底(1)上，p埋层区(3)覆盖在隐埋氧化层(2)上，n型轻掺杂漂移区(4)和栅氧化层(5)并排设置在p埋层区(3)上，n型轻掺杂漂移区(4)和栅氧化层(5)相接，n型重掺杂多晶硅栅(6)紧邻栅氧化层(5)设置，n型重掺杂多晶硅栅(6)的一侧与栅氧化层(5)的一侧相接；
在n型轻掺杂漂移区(4)顶部两侧分别嵌入第一p型阱区(11)和n型缓冲区(17),第一p型阱区(11)的一侧与栅氧化层(5)的另一侧相接；
第一p型阱区(11)的顶部嵌入n型阴极区(10)和第一p阱欧姆接触区(12)，n型阴极区(10)的一侧与第一p阱欧姆接触区(12)相接，n型阴极区(10)的另一侧与栅氧化层(5)相接，第一p阱欧姆接触区(12)设置在n型阴极区(10)与n型缓冲区(17)之间； n型缓冲区(17)的顶部嵌入第二p型阱区(16)和阳极短路点区(15)，第二p型阱区(16)和阳极短路点区(15)相接，第二p型阱区(16)设置在阳极短路点区(15)与第一p型阱区(11)之间；第二p型阱区(16)的顶部嵌入第二p阱欧姆接触区(14)，第二p阱欧姆接触区(14)与阳极短路点区(15)相接；
n型重掺杂多晶硅栅(6)的顶部设置有第一场氧化层(8-1)，n型轻掺杂漂移区(4)的顶部设置有第二场氧化层(8-2)，阳极短路点区(15)的顶部设置有阳极金属电极(13)；第一场氧化层(8-1)覆盖了相邻的n型重掺杂多晶硅栅(6)的顶部、栅氧化层(5)的顶部，以及n型阴极区(10)顶部的一部分；第二场氧化层(8-2)覆盖了相邻的第一p阱欧姆接触区(12)顶部的一部分、第一p型阱区(11)的顶部、n型轻掺杂漂移区(4)的顶部、n型缓冲区(17)的顶部、第二p型阱区(16)的顶部，以及第二p阱欧姆接触区(14)顶部的一部分；阳极金属电极(13)覆盖了相邻的第二p阱欧姆接触区(14)顶部的一部分，以及阳极短路点区(15)的顶部；阴极金属电极(9)覆盖了相邻的n型阴极区(10)顶部的一部分和第一p阱欧姆接触区(12)顶部的一部分，并且分别与第一场氧化层(8-1)和第二场氧化层(8-2)相接；金属栅极(7)紧邻n型重掺杂多晶硅栅(6)设置，并与n型重掺杂多晶硅栅(6)的另一侧、以及栅氧化层(5)和第一场氧化层(8-1)相接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学，未经杭州电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120060225.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：大幅度提高原油采收率的驱油方法
- 下一篇：包含润滑剂的纤维素纤维-塑料组合物
- 同类专利
- 专利分类
