[实用新型]一种太阳能电池的电极图形有效
申请号: | 201120060573.5 | 申请日: | 2011-03-09 |
公开(公告)号: | CN201994308U | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
发明(设计)人: | 张密超;石东益 | 申请(专利权)人: | 茂迪(苏州)新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 电极 图形 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池(solar cell)的器件结构,尤其是指太阳能电池的电极图形。
背景技术
在所有再生能源发展当中,太阳能可说是最迅速以及最可靠的发电资源。随着太阳能光电技术的不断发展,如今,太阳能电池已经得到越来越多的应用。太阳能电池的结构主要包括P型半导体材料层和N型半导体材料层。当太阳光照射时,光能被半导体材料层吸收,在半导体材料中产生电子空穴对,并在P型半导体材料层和N型半导体材料层交界面两端聚集电荷形成电场,此时若分别在P型半导体材料层和N型半导体材料层外部用电极引出,接通负载,则外电路形成回路,从而可将光能转变为电能。
其中,太阳能电池的电极通常是按照一定的图形样式,使用网版,利用丝网印刷技术印刷到太阳能电池表面。在制作太阳能电池模组时,需要采用焊带焊接在电极图形的主栅线上,然后电池片之间再通过焊带相互连接,组成太阳能电池模组。
在太阳能电池的制作中,光电转换效率的高低是一个重要的指标,但是成本控制同样是一个比较重要的指标。传统太阳能电池的电极图形设计方式,如图1所示,电极图形的主栅线较粗且宽度均匀,因此在丝网印刷时浆料耗用较大,且主栅较粗在一定程度上阻挡了太阳能电池的受光面。
鉴于此,为了最大限度提升效率和降低成本,本实用新型提出一种新型电极图形设计方式。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题在于提供一种太阳能电池的电极图形,以降低生产成本提高转换效率。
为了解决上述技术问题,本实用新型采用如下技术方案:
一种太阳能电池的电极图形,包括:主栅线以及与主栅线垂直的副栅线;
所述主栅线的宽度周期性地由粗逐渐变细再由细逐渐变粗。
作为本实用新型的优选方案,所述主栅线的宽度变化共有4个周期。
作为本实用新型的优选方案,所述主栅线最粗处的宽度为1.5-2.0mm,优选为1.8mm。
作为本实用新型的优选方案,所述主栅线最细处的宽度为0.5-1.0mm,优选为0.6mm。
作为本实用新型的优选方案,所述副栅线的数量为75根。
作为本实用新型的优选方案,所述副栅线的宽度为0.05-0.1mm,优选为0.07mm。
作为本实用新型的优选方案,所述副栅线的间距为1.998mm。
相较于现有技术,本实用新型的有益效果在于:
该电极图形将主栅设计成波浪纹的形式,可以用于太阳能电池片的正面,一方面,增大了太阳能电池的受光面积,提升了电池片的转换效率;另一方面,降低了浆料耗用,大大节省了生产成本。后续配合匹配的焊带,电池片端效率的提升将对模组端起到正面效益。
附图说明
图1是传统的太阳能电池片的电极图形示意图;
图2是本实用新型实施例中的太阳能电池片的电极图形示意图;
图3是本实用新型实施例中的太阳能电池片的电极图形主栅线的局部示意图。
具体实施方式
下面结合附图进一步说明本实用新型的具体实施方式,为了示出的方便附图并未按照比例绘制。
本实用新型的发明人为了降低太阳能电池的生产成本,提高转换效率,对传统的太阳能电池片的电极图形进行了改良,将电极图形的主栅线设计成波浪纹的形式。
如图2、图3所示,这种太阳能电池的电极图形包括:主栅线10以及与主栅线10垂直的副栅线;所述主栅线10的宽度周期性地由粗逐渐变细再由细逐渐变粗,共分为4段。其中,所述主栅线10最粗处的宽度为1.5-2.0mm,本实施例优选为1.8mm。所述主栅线10最细处的宽度为0.5-1.0mm,本实施例优选为0.6mm。所述副栅线的数量优选为75根,但本实用新型不仅限于此。所述副栅线的宽度为0.05-0.1mm,本实施例优选为0.07mm。所述副栅线的间距可以为1.967mm,也可以为1.998mm,本实施例优选1.998mm。
对采用上述实施例的电池进行测试,结果发现电池片的受光面积增加约180mm2,约0.76%;主栅的银浆耗用将降低33.49%,总银浆耗用降低10.4%;太阳能电池片效率提升约0.06%。其中部分测试结果请参见下表。
表1
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的