[实用新型]一种两单元IGBT模组栅极驱动保护回路的装置

说明书

技术领域

本实用新型具体涉及一种两单元IGBT模块栅极驱动保护回路的装置。

背景技术

在中大功率的变频器中，一般采用与驱动线路分离的两单元IGBT模组，该IGBT模组通过跳线连接主驱动线路，IGBT模组的大电流输入输出端集电极和发射极通过金属导电排与其它部分相连。

IGBT的V_GE最大保证值一般为±20V，当栅极-发射极间电压超过保证值时，栅极就有可能损坏。在栅极-发射极间增加16～18V的双向稳压二极管，在V_GE偏高时可保护栅极不受损。栅极-发射极处于开路状态时，在集电极与发射极之间增加电压，可能导致IGBT受损，在栅极-发射极之间连接10KΩ左右电阻，可以防止这种损坏发生。

一般情况下，栅极-发射极间双向稳压二极管和栅极-发射极间连接电阻与主驱动线路放在同一块基板上，然后通过跳线直接连接到IGBT模组的栅极-发射极引脚上。此种结构下进行变频器组立时，因栅极-发射极处于开路状态，组立过程中有可能使栅极-发射极耦合静电高压，使栅极受损；在主驱动线路与IGBT模组的跳线没有连接或者损坏的情况下，给变频器上电施加电压，也有可能使IGBT受损。

实用新型内容

本实用新型为解决上述技术问题而提供一种栅极驱动保护回路的装置，旨在解决现有两单元IGBT模组进行变频器组立时会使栅极或IGBT受损的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案如下：

一种栅极驱动保护回路的装置，包括两单元IGBT模组、栅极驱动保护板以及主驱动线路基板；所述栅极驱动保护板包括由栅极驱动电阻、栅极与发射极间连接电阻以及栅极与发射极间双向稳压二极管组成的栅极驱动和保护线路；所述两单元IGBT模组的栅极和发射极引脚分别与所述栅极驱动保护板上的栅极驱动和保护线路的对应端焊接，所述栅极驱动保护板通过跳线与所述主驱动线路基板上的驱动线路相连接。

本实用新型的有益效果如下：

当将IGBT模组装入变频器内时，若没有将主驱动线路与IGBT模组栅级驱动保护板通过跳线连接，变频器上电施加电压时，IGBT模组不会受损；另外，将栅极驱动保护板焊接至IGBT模组后再组立安装到变频器上，可以防止安装过程中的静电电压过高导致的IGBT栅极损坏。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的两单元IGBT模组栅极驱动保护回路的装置的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的两单元IGBT模组栅极驱动保护回路的装置的连接示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

参见图1、2所示，一种两单元IGBT模组栅极驱动保护回路的装置，包括两单元IGBT模组10、栅极驱动保护板20、主驱动线路基板30；所述栅极驱动保护板20上包括由IGBT模组的栅极驱动电阻、栅极与发射极间连接电阻以及栅极与发射极间双向稳压二极管组成的栅极驱动和保护线路；所述两单元IGBT模组10的栅极和发射极引脚分别与所述栅极驱动保护板20上的栅极驱动和保护线路的对应端焊接，所述栅极驱动保护板20通过跳线40与所述主驱动线路基板30上的驱动线路相连接。

采用上述装置结构后，当IGBT模组装入变频器内，若没有将主驱动线路与IGBT模组栅极驱动保护板通过跳线连接，变频器上电施加电压时，IGBT模块不会受损。另外，将栅极驱动保护板焊接至IGBT模组的栅极、发射极引脚上后，再组立安装到变频器上，可以防止安装过程中的静电电压过高导致的IGBT栅极损坏。

以上公开的仅为本专利的具体实施例，但本专利并非局限于此，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，做出的变形应视为属于本实用新型保护范围。