[实用新型]高压变频器功率单元驱动保护电路有效
申请号: | 201120061602.X | 申请日: | 2011-03-10 |
公开(公告)号: | CN201994836U | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
发明(设计)人: | 高冬青;欧阳君;姜涛 | 申请(专利权)人: | 北京国电四维清洁能源技术有限公司 |
主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 101500 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 高压 变频器 功率 单元 驱动 保护 电路 | ||
1.一种高压变频器功率单元驱动保护电路,包括:功率放大电路和与功率放大电路输出端连接的光纤发送模块,其特征在于,在所述功率放大电路的输入端连接整形电路,所述整形电路用于将接收到的主控制器信号整形为矩形PWM波。
2.如权利要求1所述的高压变频器功率单元驱动保护电路,其特征在于,所述整形电路包括:CMOS缓冲门、与所述CMOS缓冲门的输入端连接的第一上拉电阻及与所述CMOS缓冲门的输出端连接的第二上拉电阻,所述CMOS缓冲门的输入端连接所述主控制器,所述CMOS缓冲门的输出端连接所述功率放大电路的输入端。
3.如权利要求2所述的高压变频器功率单元驱动保护电路,其特征在于,所述CMOS缓冲门为SN74HC07。
4.如权利要求1~3中任一项所述的高压变频器功率单元驱动保护电路,其特征在于,所述功率放大电路为功率放大器芯片,所述功率放大器芯片的第一输入端接高电平,第二输入端连接所述整形电路的输出端,第三输出端连接所述光纤发送模块。
5.如权利要求4所述的高压变频器功率单元驱动保护电路,其特征在于,所述功率放大器芯片为SN75451。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京国电四维清洁能源技术有限公司,未经北京国电四维清洁能源技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120061602.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电动机智能节电控制器
- 下一篇:一种开关电源
- 同类专利
- 专利分类
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置