[实用新型]一种双极阻变存储器无效
| 申请号： | 201120063658.9 | 申请日： | 2011-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN202004045U | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 吕启标;李树玮 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 李柏林 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 双极阻变 存储器 | ||
【权利要求书】：
1.一种双极阻变存储器，其特征在于：包括MgO单晶衬底（1），所述MgO单晶衬底（1）上设有一层TiN薄膜（2），所述TiN薄膜（2）外延设有一层TiO2薄膜（3），所述TiO2薄膜（3）表面镀有金属电极（4），金属电极（4）作为器件的上电极，TiN薄膜（2）作为器件的下电极。
2.根据权利要求1所述的一种双极阻变存储器，其特征在于：所述MgO单晶衬底（1）为100取向的MgO单晶衬底。
3.根据权利要求1所述的一种双极阻变存储器，其特征在于：所述TiN薄膜（2）为厚度50-100nm的单晶薄膜。
4.根据权利要求1所述的一种双极阻变存储器，其特征在于：所述TiO2薄膜（3）为厚度200nm的单晶薄膜。
5.根据权利要求1所述的一种双极阻变存储器，其特征在于：所述金属电极（4）为Ti金属电极。
6.根据权利要求1所述的一种双极阻变存储器，其特征在于：所述TiN薄膜（2）上排布有至少1个方形或圆形的TiO2薄膜（3）和金属电极（4）。
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