[实用新型]一种太阳能多晶电池片有效
申请号: | 201120065577.2 | 申请日: | 2011-03-14 |
公开(公告)号: | CN201985115U | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 谢靖 | 申请(专利权)人: | 宁波矽源达新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/042 |
代理公司: | 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 | 代理人: | 王晓峰 |
地址: | 315021 浙江省宁波市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能 多晶 电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能多晶电池片,属于半导体技术领域。
背景技术
随着全世界环境保护意识的高涨,地球升温所造成的自然灾害日益严重,和全世界十亿以上住在无电或缺电地区的人口用电量需求日益迫切,太阳能电池市场将会继续快速地成长。目前全世界太阳能电池的发电量还不到传统能源发电量的万分之一,主要因为太阳能电池发电的成本是传统能源发电成本的2~3倍。
从太阳能电池光电转换效率来看,近几年来,随着工艺技术水平的不断提高,也有重大的突破。目前,单晶硅太阳能电池转换效率已从3年前的14%提高到17%,多晶硅太阳能电池转换效率也从3年前的10%提高到15%,超高效率的太阳能电池转换效率已超过50%。
世界光伏组件产量上世纪末最后10年的平均增长率为20%,从1991年的55兆瓦增长到2000年的287兆瓦。而进入2000年后,全球光伏组件的年均增长率更是高达30%以上,2003年全球的产量达到了744兆瓦。光伏产业成为全球发展最快的新兴行业之一。太阳能电池需求年均增长率高达30%,可预见的高速增长将持续40年以上。
现有技术中的多晶电池片的形状通常是正方形,由于用于制造多晶电池片的多晶硅片的晶向不规律,其在生产和使用过程中容易破损,从而造成多晶电池片的破损,而现在对于已经损坏的多晶电池片通常都是做废弃处理,造成极大的资源浪费,而事实上,这些已经损坏的多晶电池片在进行重新切割后部分是可用的。
发明内容
本实用新型针对现有技术中的不足,提供了一种结构简单、不容易损坏的太阳能多晶电池片。
为了解决上述技术问题,本实用新型通过下述技术方案得以解决:一种太阳能多晶电池片,包括多晶电池片本体,所述多晶电池片本体为四边形,并且所述四边形的四条边通过弧线段相连接。本实用新型首先利用废弃多晶电池片进行加工而成,具有节约成本,减少资源浪费的优点;另一方面,本实用新型的四条边通过弧线段相连接,其结构更加稳定,不容易损坏。
作为优选,上述四边形为正方形。多晶电池片本体做成正方形使每一边的边长都相等,在拼装电池组时更加方便快捷。
作为优选,上述多晶电池片本体的两条相对直线边之间的距离为125毫米。本优选方案主要是为了与现有技术中的多晶电池片相匹配,使其适用范围更宽。
作为优选方案之一,上述弧线段均位于同一圆上,且该圆的直径为165毫米。
作为另一优选方案,上述弧线段均位于同一圆上,且该圆的直径为150毫米。
本实用新型与现有技术相比,具有如下有益效果:本实用新型首先利用废弃多晶电池片进行加工而成,具有节约成本,减少资源浪费的优点;另一方面,本实用新型的四条边通过弧线段相连接,其结构更加稳定,不容易损坏。
附图说明
图1 为本实用新型实施例1的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。
实施例1:一种太阳能多晶电池片,包括多晶电池片本体1,所述多晶电池片本体1为正方形,并且所述正方形的四条边通过弧线段2相连接。
上述多晶电池片本体1的两条相对直线边之间的距离为125毫米。
上述弧线段2均位于同一圆上,且该圆的直径为165毫米。
实施例2:一种太阳能多晶电池片,包括多晶电池片本体1,所述多晶电池片本体1为正方形,并且所述正方形的四条边通过弧线段2相连接。
上述多晶电池片本体1的两条相对直线边之间的距离为125毫米。
上述弧线段2均位于同一圆上,且该圆的直径为150毫米。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波矽源达新能源有限公司,未经宁波矽源达新能源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120065577.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电极上具有散射层的太阳能电池
- 下一篇:瞬态电压抑制二极管的复合内钝化层结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的