[实用新型]压力传感器及半导体装置有效
申请号: | 201120066855.6 | 申请日: | 2011-03-11 |
公开(公告)号: | CN202274956U | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 仲谷吾郎 | 申请(专利权)人: | 罗姆股份有限公司 |
主分类号: | G01L1/22 | 分类号: | G01L1/22;B81B7/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 刘建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压力传感器 半导体 装置 | ||
1.一种压力传感器,其特征在于,具备:
基板,其在内部形成有基准压室;
闭塞体,其埋入形成于所述基板的贯通孔,并密闭所述基准压室,所述贯通孔将所述基板的表面与所述基准压室之间贯通;
应变计,其在所述基板的表面与所述基准压室之间设置于所述基板内,并根据所述基板的应变变形而使电阻变化。
2.根据权利要求1所述的压力传感器,其特征在于,
所述基板由硅构成。
3.根据权利要求2所述的压力传感器,其特征在于,
所述应变计包括形成在所述基板的表层部的压电电阻。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的压力传感器,其特征在于,
所述基准压室内为真空。
5.根据权利要求1~3中任一项所述的压力传感器,其特征在于,
所述闭塞体由铝构成。
6.根据权利要求1~3中任一项所述的压力传感器,其特征在于,
所述贯通孔具有0.2μm~0.5μm的直径。
7.根据权利要求1~3中任一项所述的压力传感器,其特征在于,
在所述贯通孔的侧面和所述闭塞体之间设有保护膜。
8.根据权利要求7所述的压力传感器,其特征在于,
所述保护膜由氧化硅构成。
9.根据权利要求1~3中任一项所述的压力传感器,其特征在于,
所述压力传感器中形成有多个所述贯通孔。
10.根据权利要求9所述的压力传感器,其特征在于,
多个所述贯通孔形成为相互大小相同的俯视圆形,且在俯视下以均等分布的方式来排列多个所述贯通孔。
11.根据权利要求1~3中任一项所述的压力传感器,其特征在于,
在俯视下,所述基准压室的面积比所述贯通孔所占的区域的总面积更大。
12.一种半导体装置,其特征在于,具备:
半导体基板,其在内部形成有空间;
贯通孔,其将所述半导体基板的表面与所述空间之间贯通,
所述空间比所述贯通孔大。
13.根据权利要求12所述的半导体装置,其特征在于,
还包括闭塞体,所述闭塞体埋入所述贯通孔,并将所述空间密闭。
14.根据权利要求12或13所述的半导体装置,其特征在于,
形成有多个所述贯通孔,
所述空间形成为使多个所述贯通孔的下端相连。
15.根据权利要求12或13所述的半导体装置,其特征在于,
所述半导体装置还包括应变计,该应变计在所述半导体基板的表面与所述空间之间设置在所述半导体基板内,根据所述半导体基板的应变变形而使电阻变化。
16.根据权利要求15所述的半导体装置,其特征在于,
所述应变计包括形成在所述半导体基板的表层部的压电电阻。
17.根据权利要求12或13所述的半导体装置,其特征在于,
所述闭塞体由铝构成。
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