[实用新型]硅单晶生长炉的导流筒升降机构无效
申请号: | 201120066960.X | 申请日: | 2011-03-11 |
公开(公告)号: | CN201981288U | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 蔡光进;韩喆;李国迪;蒋明霞 | 申请(专利权)人: | 浙江瑞迪硅谷新能源科技有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/06 |
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地址: | 325200*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅单晶 生长 导流 升降 机构 | ||
【技术领域】
本实用新型涉及一种硅单晶生长炉,具体涉及一种硅单晶生长炉的导流筒升降机构。
【背景技术】
硅单晶生长炉是生产单晶硅棒的设备,传统的硅单晶生长炉的导流筒与石英坩埚之间的位置是固定不变的,导流筒由炉体的盖板固定支撑,导流筒的下口位置低于石英坩埚的上口位置,所以每次往石英坩埚内投放的硅原料量就受到限制,导致硅单晶生长炉的产能受到限制,提高了成本。
【发明内容】
鉴于背景技术存在的不足,本实用新型的目的旨在提供一种能提高硅单晶生长炉每次投料量,增大硅单晶生长炉产能的硅单晶生长炉导流筒升降机构。
本实用新型是通过以下技术方案来实现的:
硅单晶生长炉的导流筒升降机构,其特征在于:硅单晶生长炉的导流筒升降机构包括吊钩、拉杆和座套,座套套接在硅单晶生长炉的引晶装置的重锤杆上,吊钩固定在导流筒的上端口,拉杆的上端与座套铰接连接,拉杆的下端钩在吊钩上。
当往石英坩埚内投料时,导流筒和引晶装置一起处于高位,既导流筒的下口位置相对石英坩埚的上口位置往上提升了,石英坩埚这部分腾出的空间就可以用于增加投料量,在投料融化后,熔硅的液面下降,此时导流筒与引晶装置一起下放,导流筒的下口虽然回到原来工作位置,但因为熔硅的液面较投料时的低,所以导流筒的下口也不会与硅料接触,保证了硅单晶生长炉的正常工作,由于每次投料量的提高,所以硅单晶生长炉的产能得以增大,节约了成本。
【附图说明】
图1为本实用新型的结构图
【具体实施方式】
参照附图1,这种硅单晶生长炉的导流筒升降机构,包括吊钩3、拉杆2和座套1,座套1活动套设在硅单晶生长炉引晶装置的重锤杆4上部分直径较小的轴杆外圆,重锤杆4的下端连接有籽晶6,重锤杆4的上端连接钢丝绳5,吊钩3通过螺钉固定在导流筒7的上端口,拉杆2的上端与座套1铰接连接,拉杆2的下端钩在吊钩3上。
本实用新型是这样提高硅单晶生长炉每次的投料量,增大硅单晶生长炉的产能的:在往石英坩埚内投料时,引晶装置肯定处于高位,所以导流筒也一起处于高位,这样导流筒的下口位置相对石英坩埚的上口位置往上提升了,石英坩埚这部分腾出的空间就可以用于增加固体硅原料的投料量,在投料完全融化后,熔硅的液面下降,此时引晶装置开始下放,籽晶开始引晶,导流筒随之一起下放,导流筒的下口回到原来工作位置,但因为熔硅的液面较投料时的低,所以导流筒的下口不会与硅料接触,保证了硅单晶生长炉的正常工作,由于每次投料量的提高,所以硅单晶生长炉的产能得以增大,节约了成本。以以前硅单晶生长炉每次投料60KG为例,采用本实用新型技术后,硅单晶生长炉每次可以投料75KG,提升产能25%。
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