[实用新型]一种可提高单晶炉生长速度的单晶炉热场有效
| 申请号： | 201120067977.7 | 申请日： | 2011-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN202030855U | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 张志强;黄振飞 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 单晶炉 生长 速度 单晶炉热场 | ||
【权利要求书】：
1.一种可提高单晶炉生长速度的单晶炉热场，包括热屏(6)，其特征是：在所述的热屏(6)的内侧附加一段具有锥度的筒状的冷却器(1)。
2.根据权利要求2所述的可提高单晶炉生长速度的单晶炉热场，其特征是：所述的冷却器(1)和紧贴热屏(6)内侧，和热屏(6)内侧具有相同的锥度。
3.根据权利要求1或2所述的可提高单晶炉生长速度的单晶炉热场，其特征是：所述的冷却器(1)通过连接管(2)连接到炉筒上，冷却器(1)的冷却介质进出口均设置在炉筒上，冷却介质通过冷却介质进出口并沿连接管(2)进入冷却器(1)进行冷却。
4.根据权利要求3所述的可提高单晶炉生长速度的单晶炉热场，其特征是：所述的炉筒为一段独立的副炉筒(3)。
5.根据权利要求1或2所述的可提高单晶炉生长速度的单晶炉热场，其特征是：所述的冷却器(1)的高度占热屏(6)总高的40％～80％，下端距离热屏(6)下边沿的高度为20～300mm。
6.根据权利要求3所述的可提高单晶炉生长速度的单晶炉热场，其特征是：所述的冷却介质进出口上设置流量调节阀(4)。
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