[实用新型]半导体硅片的清洗工艺腔

权利要求书

1.一种半导体硅片的清洗工艺腔，其特征在于，所述工艺腔内部具有可升降及旋转的多个平台，每个平台上方用于固定一硅片，所述平台上方设置有一盖板，所述盖板上对应每个平台具有一个或多个进口。

2.根据权利要求1所述的半导体硅片的清洗工艺腔，其特征在于，当所述平台上升至最高位置时，所述盖板与硅片之间具有0.5毫米至3毫米的距离。

3.根据权利要求1所述的半导体硅片的清洗工艺腔，其特征在于，所述进口为液体进口，所述液体进口连接有液体管路，通过所述液体进口的清洗液的压力为5至50磅/平方英寸。

4.根据权利要求1所述的半导体硅片的清洗工艺腔，其特征在于，所述每个平台还具有一个或多个气体进口，所述气体进口连接有气体管路。

5.根据权利要求1所述的半导体硅片的清洗工艺腔，其特征在于，所述每个平台上设置有硅片支架用于固定所述硅片。

6.根据权利要求5所述的半导体硅片的清洗工艺腔，其特征在于，所述硅片支架的内部分布有真空管路。

7.根据权利要求1至6中任一项的所述半导体硅片的清洗工艺腔，其特征在于，所述平台的数量为2个至6个，所述平台的直径为4英寸至12英寸，其最高转速为500至3000转每分钟。

8.根据权利要求1至6中任一项的所述半导体硅片的清洗工艺腔，其特征在于，所述盖板上设置有超声波振荡器，所述超声波振荡器的数量为对应每个硅片设置1个至4个，每个超声波振荡器的功率为到达硅片表面0.5至5瓦特每平方厘米，工作频率为0.2至3兆赫兹。

9.根据权利要求1至6中任一项的所述半导体硅片的清洗工艺腔，其特征在于，所述盖板的材质为陶瓷，直径为10至40英寸，厚度为1至20毫米。

10.根据权利要求1所述的半导体硅片的清洗工艺腔，其特征在于，所述盖板的边缘向下弯曲，形成导流护罩。

11.根据权利要求1所述的半导体硅片的清洗工艺腔，其特征在于，所述半导体硅片的清洗工艺腔内还设置有排气排水管道，所述排气排水管道设置在所述平台的下方。