[实用新型]晶圆喷洗装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种晶圆喷洗装置。

背景技术

随着半导体产业的迅速发展，集成电路的制造以越来越小的线宽来加强集成电路功能、且降低单位使用的成本。然而，线宽的微小化使得微粒与集成电路交互作用引起的缺陷更加明显，微粒污染是超大规模集成电路良率不易提升的主要问题，晶圆的表面微粒去除技术为当前重要课题。

晶圆制造工艺的每一个步骤，包括刻蚀、氧化、沉积、去光阻、以及化学机械研磨，都是造成晶圆表面污染的来源，因而需要反复的清洗。晶圆清洗一般分为湿式法或干式法。湿式法是利用溶剂、碱性溶液、酸性溶液、接口活性剂，混合纯水进行洗涤、氧化、浸蚀、及溶解等清洗方式；干式法则是利用高能量(热能、电能、放射能)产生化学反应进行表面清洁。

例如在研磨工艺过程后，晶圆上会残留泥浆中所含的碱金属离子，如钾及钠离子，以及过渡金属离子，如镍、铁、铜、锌等。这些金属离子除吸附在晶圆表面外，也可能因为研磨的应力(即晶面表面损伤)而扩散至晶圆的介质层(如氧化硅层)内。如前所述，以碱性(如氨水)水溶液清洗去除尘粒污染，会造成上述金属离子产生氢氧化物沉积，故在氨水清洗后伴随着稀释酸性水溶液清洗，借助轻微蚀刻该氧化硅层的表面，以达到有效去除前述金属离子的污染；然而，铝合金及铜金属等金属导线极易在酸性及碱性水溶液中腐蚀，以及研磨研浆的残留干燥后形成键结力极强的氧桥基键结；因此，晶圆清洗工艺过程需要大量去离子水清洗、浸润。

在现有技术中，由于冲洗过程中喷头是固定的，去离子水水流的入射方向很大程度上需要依赖设备工程师的个人经验进行调节，当调节好喷头之后，在正常的运行过程中，去离子水流的喷射方向、角度及水流速度是固定不动的，因此喷头的喷射范围极为有限。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种晶圆喷洗装置，以解决晶圆喷洗装置中喷头喷射范围窄的问题。

为解决上述问题，本实用新型提出了一种晶圆喷洗装置，所述晶圆喷洗装置包括管道、与所述管道连通的转动轴、与所述转动轴连通的喷头以及启动元件，所述启动元件包括齿轮、马达以及驱动器，所述齿轮固定在所述转动轴的外壁上并与所述马达啮合，所述马达与所述驱动器连接，所述驱动器内设置有方向控制元件。

优选地，所述转动轴的一端与所述管道连通并与所述管道活动连接，所述转动轴的另一端封闭。

优选地，所述喷头与所述转动轴连通，并固定在所述转动轴上。

优选地，所述喷头的数量为一个。

优选地，所述喷头的数量为两个以上。

与现有技术相比，本实用新型提供的晶圆喷洗装置，通过启动元件带动转动轴往复运动，进一步使与转动轴连通的喷头进行往复运动，在利用喷头对晶圆表面喷洒清洗液时，由于喷头能够进行往复运动，扩大了喷头喷射的范围，有助于晶圆表面能够达到更好更全面的清洗效果。

附图说明

图1为本实用新型实施例的晶圆喷洗装置结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的晶圆喷洗装置作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用于方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

本实用新型的核心思想在于，提供一种晶圆喷洗装置，通过启动元件带动转动轴往复运动，进一步使与转动轴连通的喷头进行往复运动，在利用喷头对晶圆表面喷洒清洗液时，由于喷头能够进行往复运动，扩大了喷头喷射的范围，有助于晶圆表面能够达到更好更全面的清洗效果。

图1为本实用新型实施例的晶圆喷洗装置结构示意图。

参照图1，晶圆喷洗装置包括管道21、与所述管道21连通的转动轴22、与所述转动轴22连通的喷头23以及启动元件24，所述启动元件24包括齿轮241、马达242以及驱动器243，所述齿轮241固定在所述转动轴22的外壁上并与所述马达242啮合，所述马达242与所述驱动器243连接，所述驱动器243内设置有方向控制元件(图1未示出)。

具体地，所述转动轴22的一端与所述管道21连通并与所述管道21活动连接，所述转动轴22的另一端封闭，所述喷头23与转动轴22连通，并固定在转动轴22上，清洗液可经所述管道21流至转动轴22，并经所述喷头23喷出。

在本实施例中，所述喷头23的数量为多个，图中所示为一个喷头23，所述晶圆喷洗装置结构较为简单，制造成本较低。在本实用新型其它实施例中，所述晶圆喷洗装置的喷头23的数量也可以为两个以上，以达到更佳的清洗效果。