[实用新型]一种低功耗二极管有效
| 申请号： | 201120071334.X | 申请日： | 2011-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN202034373U | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 孙玉华 | 申请（专利权）人： | 苏州固锝电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡 |
| 地址： | 215153 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种低功耗二极管，包括具有P区（1）和N区（2）的硅片衬底（3），此P区（1）由中央P区域（4）和围绕此中央P区域（4）的周边P区域（5）组成，周边P区域（5）上表面覆盖多晶硅钝化膜层（6），中央P区域（4）上表面覆盖作为阳极的第一金属层（7），所述多晶硅钝化膜层（6）上表面覆盖玻璃胶层（8），N区（2）下表面覆盖作为阴极的第二金属层（9），其特征在于：所述中央P区域（4）的掺杂深度大于周边P区域（5）的掺杂深度；所述P区（1）与所述N区（2）之间的接触面呈弧形。
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