[实用新型]多晶硅铸锭炉坩埚侧板

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种多晶硅铸锭炉内热场的设备，尤其涉及一种多晶硅铸锭炉坩埚侧板。

背景技术

现有的多晶硅铸锭炉热场内，保护坩埚的侧板上原本是没有孔的，由于不能提供散热，导致热场内散热速度很慢，影响到晶体的生成，会在晶体内部产生微晶，从而大大降低了多晶硅晶体的良品率。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种多晶硅铸锭炉坩埚侧板，旨在提高多晶硅晶体的良品率。

为了达到上述目的，本实用新型提出一种多晶硅铸锭炉坩埚侧板，包括侧板的板体，所述板体的顶部开设有用于加快冷却气体流通的通槽；所述通槽至少为两个。

优选地，所述通槽的截面形状至少包括方形、半圆孔形、圆孔形或椭圆形中的一种。

优选地，所述通槽为两个，均布于所述板体顶部；其宽度为280～380mm，高度为40～100mm。

优选地，所述通槽底部设有防止高温下侧板应力裂开的倒角。

优选地，所述侧板安装于所述多晶硅铸锭炉的坩埚的侧面。

优选地，所述侧板为四块，分别安装于所述坩埚的四面；所述侧板与侧板之间通过碳碳螺栓和螺母固定连接。

优选地，所述侧板的顶部设有防止杂质进入坩埚的盖板。

本实用新型提出的一种多晶硅铸锭炉坩埚侧板，通过在侧板的板体顶部设置用于加快热场内冷却气体流通的通槽，改善了热场内的散热条件，极大的改善了多晶硅结晶的质量，从而提高了多晶硅晶体的良品率。

附图说明

图1是本实用新型多晶硅铸锭炉坩埚侧板一实施例的结构示意图；

图2是本实用新型多晶硅铸锭炉坩埚侧板使用状态示意图。

为了使本实用新型的技术方案更加清楚、明了，下面将结合附图作进一步详述。

具体实施方式

本实用新型技术方案总体思路是：在侧板的板体顶部设置用于加快热场内冷却气体流通的通槽，提高热场内的散热效果，从而提高多晶硅晶体的良品率。以下将结合附图及实施例，对实现实用新型目的的技术方案作详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

如图1所示，本实用新型一实施例提出一种多晶硅铸锭炉坩埚侧板，包括侧板的板体2，板体2的顶部开设有用于加快冷却气体流通的通槽3。

如图2所示，本实施例侧板安装于多晶硅铸锭炉的坩埚5的侧面，侧板共四块，分别安装于坩埚5的四面，侧板与侧板之间通过碳碳螺栓和螺母固定连接。坩埚5底部设有支撑坩埚5的底板1，坩埚5内装有硅料6。

在本实施例中，用于支撑坩埚5的底板1位于侧板的板体2的底部。同时，为了防止杂质进入坩埚5内以及硅料6中，在侧板的板体2的顶部设置有盖板4，将侧板顶部密封，也起到减少热量散失的作用。

在本实施例中，通槽3为两个，其截面形状为方形，均布于板体2的顶部，通槽3的尺寸采用宽度为280～380mm，高度为40～100mm的设置。

其中，通槽3的数量可以根据实际需要设置，比如通槽3还可以为三个或三个以上，均布于板体2的顶部。通槽3的截面形状根据实际使用需要还可以采用其他形状，比如：半圆孔形、圆孔形、菱形或椭圆形等。当通槽的数量为三个或三个以上时，相比设置两个通槽的情形，通槽的尺寸根据实际需要可以相应的缩小。

为了防止高温下侧板因应力而裂开，可以在通槽3底部设置倒角7。

本实施例通过在侧板的板体2顶部开设通槽，能够在坩埚5内通入氩气后，改善坩埚5内热场的冷却环境，加快气体冷却对流的形成，提高热场内的冷却速度，改善多晶硅晶体的结晶环境，进一步改善多晶硅晶体的结晶质量，从而提高多晶硅晶体的良品率。其基本散热原理为：

坩埚5中的硅料6在热场加热的作用下融化，然后通过定向凝固结晶，使硅料6凝固为太阳能用多晶硅。定向凝固结晶从坩埚5的底部开始，侧板顶部的通槽3加快了热场内气体的冷却过程，热场顶部的冷却流通降低了在结晶过程中微晶的生成，使长出来的晶体较大，良品率提高。实验表明，本实用新型相对原来没有开槽加快气体流通的侧板，使生成的多晶硅晶体中的微晶含量比原来的减少约20％，从而极大的改善了多晶硅晶体的质量。

相比现有技术中，由于在侧板上没有开设通槽而不能对热场内进行有效散热而影响微晶的生成所存在的缺陷，本实用新型通过在侧板的板体2顶部设置用于加快热场内冷却气体流通的通槽3，改善了热场内的散热条件，极大的改善了多晶硅结晶的质量，从而提高了多晶硅晶体的良品率。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。