[实用新型]一种结构改良的LED芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及LED制备技术领域，尤其涉及一种结构改良的LED芯片。

背景技术

因过度开发导致全球面临能源短缺以及地球环境巨变的威胁，新型且节能省碳概念的光源成为二十一世纪照明最重要的研究课题之一。发光二极管（Light Emitting Diode——LED）无疑是最具开发潜力的绿色照明光源的代表；发光二极管具有体积小、发热量低、耗电量小、寿命长、反应速度快、环保以及高亮度等优点。凭借上述多方面的优点，发光二极管应用越来越普遍且应用范围日渐多元化，如交通信号灯、车用照明设备、户外显示器、液晶电视以及手机背光源等。

随着LED芯片制备技术不断地提高，如何提高亮度成为LED进入照明领域的重要指标，其中以氮化镓（GaN）系发光二极管所扮演的角色更是不容忽视。现有LED灯虽然能够在一定程度上实现照明功能，但是普遍存在出光效率不高，亮度亟待进一步提高等缺陷。

发明内容

本实用新型的目的在于针对现有技术的不足而提供一种出光效率、亮度均较高的结构改良的LED芯片。

为达到上述目的，本实用新型通过以下技术方案来实现。

一种结构改良的LED芯片，包括有从下至上依次层叠设置的衬底、N型半导体层、有源层以及P型半导体层，所述衬底的下方层叠设置有反射镜，反射镜与衬底之间分布有颗粒状的银粒子，银粒子的一侧壁粘附于衬底的下表面，银粒子的其余侧壁与反射镜贴合。

其中，所述银粒子呈半球状，银粒子的球形面与所述反射镜贴合，银粒子的水平面粘附于所述衬底的下表面。

其中，所述N型半导体层为N型GaN层，所述有源层为InGaN/GaN多重量子井发光层，所述P型半导体层为P型GaN层。

其中，所述衬底为碳化硅基板。

其中，所述衬底为蓝宝石基板。

其中，所述N型半导体层电连接有N型焊接垫，所述P型半导体层电连接有P型焊接垫。

其中，所述P型焊接垫与所述P型半导体层之间设置有透明导电层，P型焊接垫、透明导电层以及P型半导体层依次电连接。

其中，所述透明导电层为氧化铟镓透明导电层或者氧化锌透明导电层。

其中，所述反射镜为TiO₂/SiO₂反射镜。

本实用新型的有益效果为：本实用新型所述的一种结构改良的LED芯片，包括有从下至上依次层叠设置的衬底、N型半导体层、有源层以及P型半导体层，所述衬底的下方层叠设置有反射镜，反射镜与衬底之间分布有颗粒状的银粒子，银粒子的一侧壁粘附于衬底的下表面，银粒子的其余侧壁与反射镜贴合。位于衬底下方的银粒子与反射镜组合并形成复合反射镜，相对于单一金属反射镜或者介电质反射镜而言，该复合反射镜具有较高的表面粗糙度并能够将有源层发出的光线由镜面反射状态变成漫反射状态，漫反射可以增加透出本实用新型的出光面的光线；所以，本实用新型能够有效地提高出光效率并最终提升照明亮度。

附图说明

下面利用附图来对本实用新型作进一步的说明，但是附图中的实施例不够成对本实用新型的任何限制。

图1为本实用新型一种结构改良的LED芯片的结构示意图。

在图1中包括有：

1——衬底          2——N型半导体层   3——有源层

4——P型半导体层  5——反射镜         6——银粒子

7——N型焊接垫    8——P型焊接垫     9——透明导电层  。

具体实施方式

为引用和清楚起见，下文中所使用的技术术语、简写或者缩写总结如下：

GaN——氮化镓；InGaN/GaN——氮化镓铟/氮化镓；TiO₂——二氧化钛；SiO₂——二氧化硅。

下面结合实施例来对本实用新型的技术方案进行清楚完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

如图1所示，一种结构改良的LED芯片，包括有从下至上依次层叠设置的衬底1、N型半导体层2、有源层3以及P型半导体层4，所述衬底1的下方层叠设置有反射镜5，反射镜5与衬底1之间分布有颗粒状的银粒子6，银粒子6的一侧壁粘附于衬底1的下表面，银粒子6的其余侧壁与反射镜5贴合。