[实用新型]在基片上生长薄膜的反应装置有效
申请号: | 201120083598.7 | 申请日: | 2011-03-25 |
公开(公告)号: | CN202047131U | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | 杜志游;荒见淳一;孙一军 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;B08B9/087 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基片上 生长 薄膜 反应 装置 | ||
1.一种在基片上生长薄膜的反应装置,其特征在于,包括:
反应腔;
气体输送装置,其设置于所述反应腔内并包括一气体输送表面,用于向所述反应腔内释放反应气体并在所述基片上形成化合物薄膜;
设置于所述反应腔内的一支撑装置;
基片托架,其用于传送所述基片和对所述基片提供支撑,所述基片托架可分离地安装在所述支撑装置上并且至少在所述生长薄膜的过程中保持与之接触,所述基片托架能够容易地从所述支撑装置上移开,以用于传送所述基片托架以装载或卸载所述基片;
清洁装置,其可分离地安装在所述支撑装置上并且至少在所述清洁过程中保持与之接触,所述清洁装置能够容易地从所述支撑装置上移开并被移出至所述反应腔外,所述清洁装置包括一面向所述气体输送表面的一表面,所述表面上分布有若干刮擦结构;以及
旋转驱动装置,其可选择性地带动所述清洁装置上的所述若干刮擦结构旋转;
其中,所述清洁装置在所述反应腔内具有一位置,在所述位置上,至少部分所述若干刮擦结构接触所述气体输送表面,并将附着在所述气体输送表面上的附着聚集物移除下来。
2.如权利要求1所述的反应装置,其特征在于,还包括一与所述反应腔内部相互流体连通的抽吸端口,所述抽吸端口与一排气泵或一吹风机相连接。
3.如权利要求2所述的反应装置,其特征在于,所述抽吸端口设置于所述反应腔的底部或侧壁。
4.如权利要求2所述的反应装置,其特征在于,所述抽吸端口设置于所述反应腔的侧壁上,并且位于由所述气体输送表面和所述清洁装置的所述表面构成的一水平空间内,且靠近所述清洁装置的刮擦结构。
5.如权利要求2所述的反应装置,其特征在于,还包括一与所述抽吸端口相互流体连通的聚集物收集装置,用以将所述附着聚集物收集在一起。
6.如权利要求2所述的反应装置,其特征在于,所述清洁装置内部设置一与所述抽吸端口相互流体连通的聚集物收集装置,用以将所述附着聚集物收集在一起。
7.如权利要求1所述的反应装置,其特征在于,所述清洁装置为一基片托架模拟物,其与所述支撑装置的连接部分与所述基片托架与所述支撑装置的连接部分具有相同的结构和尺寸。
8.如权利要求1所述的反应装置,其特征在于,所述刮擦结构为刷毛、或为棱状刮片结构,或为二者的组合。
9.如权利要求1所述的反应装置,其特征在于,所述支撑装置为一具有至少一支持端或一支持面的一可旋转轴。
10.如权利要求9所述的反应装置,其特征在于,所述基片托架和所述清洁装置均包括一连接面,所述两个连接面的中心区域均具有一凹进部,所述可旋转轴的所述支持端可分离地容纳于所述基片托架和所述清洁装置的中心凹进部。
11.如权利要求1所述的反应装置,其特征在于,所述支撑装置包括一转轴主体部和由所述转轴主体部向外延伸连接的至少三个支持端,所述至少三个支持端共同支撑所述清洁装置。
12.如权利要求1所述的反应装置,其特征在于,所述支撑装置包括一第一支撑件、与所述第一支撑件相连接的一第二支撑件,所述第二支撑件支撑所述清洁装置,所述第一支撑件与一旋转驱动装置相连接,所述旋转驱动装置带动所述第一支撑件和所述第二支撑件一起运动。
13.如权利要求1所述的反应装置,其特征在于,所述支撑装置包括一第一支撑件和第二支撑件,所述第一支撑件和第二支撑件共同支撑所述清洁装置,所述第一支撑件与一旋转驱动装置相连接,所述旋转驱动装置带动所述第一支撑件和所述第二支撑件一起运动。
14.如权利要求1所述的反应装置,其特征在于,所述气体输送装置为一喷淋式气体分布装置或为一喷射式气体分布装置或为二者的组合。
15.如权利要求1所述的反应装置,其特征在于,所述旋转驱动装置为一马达。
16.如权利要求1所述的反应装置,其特征在于,还包括一位于所述反应腔外部的机械传送装置,所述机械传送装置包括一机械传送手,其可选择性地将所述清洁装置或所述基片托架从所述反应腔外传送至所述反应腔内并放置在所述基片托架的支撑装置上,或从所述支撑装置上移开再传送至所述反应腔外。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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