[实用新型]多晶硅还原炉

权利要求书

1.一种多晶硅还原炉，包括炉体和底盘，所述底盘上具有多对均匀分布的电极，所述电极的排布呈蜂窝状，具体为：

所述底盘中心具有六个电极，所述六个电极以所述底盘的中心为中心点呈正六边形排布，所述六个电极分别位于所述正六边形的六个顶点处；

以所述正六边形为中心，其它电极依次向外排布，并且，最外层电极的连线近似为以所述底盘的中心为圆心的圆。

2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述底盘上还包括：

位于正六边形中心位置处的进气口；

位于所述底盘中心位置处的排气口和/或位于所述最外层电极连线处且均匀排布的多个排气口。

3.根据权利要求2所述的多晶硅还原炉，其特征在于，每两个电极间的最小距离为130mm-260mm。

4.根据权利要求3所述的多晶硅还原炉，其特征在于，每两个电极间设置一个硅芯，最外层硅芯的中心与所述多晶硅还原炉的内筒壁间的距离为100mm-300mm。

5.根据权利要求4所述的多晶硅还原炉，其特征在于，以所述底盘的中心为圆心，设置有硅芯的区域被平均分为6个夹角为60°的扇形区，每个扇形区内的硅芯布置方式关于底盘中心对称，并且，位于所述底盘中心处的六个电极分别与外层的电极相连，以在所述底盘中心处设置六个硅芯。

6.根据权利要求5所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述底盘上设置的电极对数为6对、18对、36对、60对、90对。

7.根据权利要求4所述的多晶硅还原炉，其特征在于，以所述底盘的中心为圆心，设置有硅芯的区域被平均分为3个夹角为120°的扇形区，每个扇形区的硅芯布置方式关于底盘中心对称。

8.根据权利要求7所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述底盘上设置的电极对数为3对、42对、48对、54对、63对、84对。

9.根据权利要求1-8任一项所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述电极的正负两极在所述底盘上交替间隔设计。

10.根据权利要求9所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述底盘采用水冷却式结构，其上设置冷却水进口和冷却水出口。