[实用新型]具有超低无载损耗的直流电源转换器有效

专利信息
申请号: 201120088132.6 申请日: 2011-03-21
公开(公告)号: CN202026241U 公开(公告)日: 2011-11-02
发明(设计)人: 陈联兴;刘力豪 申请(专利权)人: 博大科技股份有限公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335
代理公司: 广东国欣律师事务所 44221 代理人: 李文
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 具有 超低无载 损耗 直流电源 转换器
【权利要求书】:

1.一种具有超低无载损耗的直流电源转换器,其特征在于,包含有:

一直流电源,具有一正极端以及一负极端;

一变压器,具有一一次侧以及一二次侧;

该一次侧具有一第一绕组,该第一绕组的一端连接于该直流电源的正极端,另一端连接于一第一MOSFET,该第一MOSFET电性连接于一PWM控制器,该PWM控制器具有在轻载时进入突冲模式、脉冲跳跃或非导通时间调变的功能;

该二次侧分为一第二绕组以及一第三绕组,且该二次侧具有一驱动控制单元以及一整流单元,该整流单元电性连接于该驱动控制单元,该驱动控制单元电性连接于一第二MOSFET,该第二MOSFET、该驱动控制单元以及该整流单元的组合电性连接于该第二绕组的一端以及该第三绕组的一端之间,且该第二MOSFET具有一内部二极管;

该第二绕组与该第二MOSFET的组合用以连接于一负载。

2.根据权利要求1所述的具有超低无载损耗的直流电源转换器,其特征在于:包含有一比较器,其输入端电性连接于该整流单元,输出端电性连接于该驱动控制单元。

3.根据权利要求1所述的具有超低无载损耗的直流电源转换器,其特征在于:该第一MOSFET以其闸极电性连接于该PWM控制器,该第二MOSFET以其闸极电性连接于该驱动控制单元。

4.根据权利要求1所述的具有超低无载损耗的直流电源转换器,其特征在于:该驱动控制单元为一同步整流驱动控制器,其具有一UVLO脚位,并以该UVLO脚位电性连接于该整流单元。

5.根据权利要求1所述的具有超低无载损耗的直流电源转换器,其特征在于:该驱动控制单元由二个二极管、二电阻以及一电容所组成。

6.根据权利要求1所述的具有超低无载损耗的直流电源转换器,其特征在于:该整流单元由一二极管、一电阻以及一电容所组成。

7.根据权利要求1所述的具有超低无载损耗的直流电源转换器,其特征在于:该整流单元由一晶体管、数个电阻、一二极管、一齐纳二极管以及一电容所组成。

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