[实用新型]一种用硬件实现的交流组合开关无效

专利信息
申请号: 201120089985.1 申请日: 2011-03-30
公开(公告)号: CN202034958U 公开(公告)日: 2011-11-09
发明(设计)人: 蔡超;蓝哲祥;吕华;江苏军 申请(专利权)人: 上海军远通信设备有限公司
主分类号: H03K17/72 分类号: H03K17/72
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 赵继明
地址: 200072 上海市闸*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 硬件 实现 交流 组合 开关
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种交流组合开关,尤其是涉及一种用硬件实现的交流组合开关。

背景技术

一般的组合开关中的可控硅、继电器的驱动时序均由CPU来进行控制。由于CPU还需要处理其他的程序,因而容易受到干扰而造成其对可控硅、继电器的驱动时序控制的的不准确。而且采用CPU进行控制必然要采用运算能力更高的CPU,这无疑增加了生产成本。

实用新型内容

本实用新型的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种开关动态无火花、关断时呈高阻状态,还能提高交流组合开关的抗干扰能力以及降低开关成产成本的用硬件实现的交流组合开关。

本实用新型的目的可以通过以下技术方案来实现:一种用硬件实现的交流组合开关,与可控硅和继电器连接,其特征在于,该组合开关包括电源接入点、开关信号接入点、可控硅驱动时序控制电路、继电器驱动时序控制电路以及与可控硅驱动时序控制电路、继电器驱动时序控制电路连接的外围电路。

所述的可控硅驱动时序控制电路包括第一二极管、第一电阻、第一电容、第一比较器,所述的继电器驱动时序控制电路包括第二二极管、第二电阻、第二电容、第二比较器,所述的外围电路包括第三电阻、第四电阻、第三电容,所述的第三电阻、第四电阻串联后与电源接入点连接,所述的第一比较器、第二比较器与电源接入点连接,所述的第一比较器的负极、第二比较器的负极均与第三电阻、第四电阻之间连接,所述的开关信号接入点与第三电阻、第四电阻之间连接,所述的第三电容的一端与第三电阻、第四电阻之间连接,第三电容的另一端与电源接入点的负极连接,所述的第一二极管的正极与第二二极管的负极连接,所述的第一二极管的负极与第一电容串联后与电源接入点的负极连接,所述的第二二极管的正极与第二电容串联后与电源接入点的负极连接,所述的第一电阻并接在第一二极管的两端,所述的第二电阻并接在第二二极管的两端,所述的第一比较器的正极与第一二极管的负极、第一电容之间连接,所述的第二比较器的正极与第二二极管的正极、第二电容之间连接。

与现有技术相比,本实用新型采用硬件来完成组合开关中可控硅、继电器的驱动时续控制,具有开关动态无火花,关断时呈高阻状态的优点,而且还能提高交流组合开关的抗干扰能力以及降低开关成产成本。

附图说明

图1为本实用新型的电路连接图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。

实施例

如图1所示,一种用硬件实现的交流组合开关,与可控硅和继电器连接,该组合开关包括电源接入点、开关信号接入点、可控硅驱动时序控制电路、继电器驱动时序控制电路以及与可控硅驱动时序控制电路、继电器驱动时序控制电路连接的外围电路。可控硅驱动时序控制电路包括第一二极管D1、第一电阻R1、第一电容C1、第一比较器Q1。继电器驱动时序控制电路包括第二二极管D2、第二电阻R2、第二电容C2、第二比较器Q2。外围电路包括第三电阻R3、第四电阻R4、第三电容C3。第三电阻R3、第四电阻R4串联后与电源接入点连接。第一比较器Q1、第二比较器Q2与电源接入点连接。第一比较器Q1的负极、第二比较器Q2的负极均与第三电阻R3、第四电阻R4之间连接。开关信号接入点与第三电阻R3、第四电阻R4之间连接。第三电容C3的一端与第三电阻R3、第四电阻R4之间连接,第三电容C3的另一端与电源接入点的负极连接。第一二极管D1的正极与第二二极管D2的负极连接。第一二极管D1的负极与第一电容C1串联后与电源接入点的负极连接。第二二极管D2的正极与第二电容C2串联后与电源接入点的负极连接。第一电阻R1并接在第一二极管D1的两端。第二电阻R2并接在第二二极管D2的两端。第一比较器Q1的正极与第一二极管D1的负极、第一电容C1之间连接。第二比较器Q2的正极与第二二极管D2的正极、第二电容C2之间连接。

上电时,由于D1的作用比较器Q1立即输出高电平驱动继电器;断电时还是由于D1的作用比较器Q1延时恢复低电平,继电器延时断开。上电时,由于D2的作用比较器Q2延时输出高电平驱动可控硅,以保证在继电器接通后再导通可控硅;断电时还是由于D2的作用比较器Q2立即恢复低电平,以保证在继电器断开前关断可控硅。整个开关由R1、C1决定继电器延时断开的时间;由R2、C2决定可控硅延时导通的时间。

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