[实用新型]一种温漂系数可调的差动变压器式位移传感器无效

专利信息
申请号: 201120092691.4 申请日: 2011-04-01
公开(公告)号: CN202002607U 公开(公告)日: 2011-10-05
发明(设计)人: 李为 申请(专利权)人: 合肥高创传感器有限公司
主分类号: G01B7/02 分类号: G01B7/02
代理公司: 合肥天明专利事务所 34115 代理人: 吴娜
地址: 230088 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 系数 可调 差动 变压器 位移 传感器
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种位移传感器,尤其是一种温漂系数可调的差动变压器式位移传感器。

背景技术

差动变压器式位移传感器的应用已有几十年的历史,它具有抗干扰能力强、使用寿命长、能适应各种恶劣环境等特点而被广泛应用。然而,差动变压器(LVDT)有一定的温度漂移,这种漂移长期以来一直没能得到很好的解决,这直接影响到差动变压器式位移传感器的精度,只能使这种传感器应用在中低精度的场所,传统的差动变压器式位移传感器的原理框图如图1所示。

由图1可以看出传感器的输出信号是由两次级线圈上的电压相减而成。当铁芯在中间位置时,两次级线圈上的温漂相减而抵消;当铁芯偏离中间位置时,两次级线圈的温漂一大一小,他们相减无法抵消而产生温漂。这种温漂随着铁芯的偏移量增大而增大,温漂曲线如图2所示,其中其中横坐标轴S为位移,纵坐标轴V为输出信号。差动变压器(LVDT)的温漂非常复杂,这也就是长期以来一直没能得到很好解决的原因。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种成本低、能够最大程度减小温漂、精度高的温漂系数可调的差动变压器式位移传感器。

为实现上述目的,本实用新型采用了以下技术方案:一种温漂系数可调的差动变压器式位移传感器,包括差动变压器LVDT,所述差动变压器LVDT的初级线圈与电压/电流混合激励电路的输出端相连,差动变压器LVDT的初级线圈与电压/电流混合激励电路构成回路,电压/电流混合激励电路的输入端与震荡器的输出端相连,差动变压器LVDT的次级线圈与解调放大电路的输入端相连。

由上述技术方案可知,本实用新型与传统的差动变压器式位移传感器相比,将恒压激励电路改成电压/电流混合激励电路,这种电压/电流混合激励电路会产生温漂,根据阻抗回路原理,其温漂方向与η的温漂方向相反,通过改变电压/电流混合比使其温漂与η的温漂大小相等方向相反,这样就能很好的解决差动变压器的温漂问题。本实用新型的成本低,大大提高了位移传感器的精度。

附图说明

图1是传统的差动变压器式位移传感器的电路框图;

图2是差动变压器LVDT的温漂曲线;

图3、4均为本实用新型的电路框图。

具体实施方式

一种温漂系数可调的差动变压器式位移传感器,包括差动变压器LVDT,所述差动变压器LVDT的初级线圈与电压/电流混合激励电路2的输出端相连,差动变压器LVDT的初级线圈与电压/电流混合激励电路2构成回路,电压/电流混合激励电路2的输入端与震荡器1的输出端相连,差动变压器LVDT的次级线圈与解调放大电路3的输入端相连,如图3所示。

由于构成差动变压器LVDT的所有材料几乎都会产生温漂,只不过它们的影响量有大有小,下面对影响量较大的差动变压器LVDT材料作出介绍。

第一,内外管:内外管会产生电涡流,这种电涡流对差动变压器LVDT是损耗,损耗的大小与内外管的电阻率有关,而电阻率会受温度的影响。因此,内外管会产生温漂,其温漂的性质是正温漂,即内外管的温度升高时,位移传感器的输出也随着升高;

第二,线圈:线圈的电阻和体积会随着温度的升高而增大,这会引起初次级互感量的变化而产生温漂。线圈温漂的性质是负温漂,即线圈的温度升高时,传感器的输出随着降低。

第三,铁芯:铁芯既是导磁体又是涡流体,当铁芯温度升高时,导磁率会下降,它的影响远远大于涡流的影响。铁芯温漂的性质是负温漂,铁芯的个体差异比较大,它们的温漂差别有时可达几十倍,这与它们的材料成分、含杂质的多少、热处理、工作频率等因素有关。

从以上分析可以看出,差动变压器LVDT的温漂非常复杂,这也是长期以来一直温漂没能得到很好解决的原因。

所有的变压器初次级电压关系可由公式(1)表达:

Vc = ηVo                    (1)

式(1)中Vc是次级电压,Vo是初级电压,η是系数,它与变压器的涡流损耗、铁芯的导磁率、线圈的变压比、震荡频率等因数有关。如果Vo是稳定的恒压源,那么输出电压Vc就会随着η的波动而波动。

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