[实用新型]分立元件制作的高性能助听器

权利要求书

1.一种分立元件制作的高性能助听器，由直流电源DC、声波信号转换电路、前置低频放大电路、音量调节电路、功率放大电路组成，其特征在于：功率放大电路中的PNP三极管VT3接成发射极输出形式，PNP三极管VT3的输出负载回路中接有带常开触点的耳机插座CZ。

2.根据权利要求1所述的分立元件制作的高性能助听器，其特征是：声波信号转换电路中的驻极体话筒MIC的音频信号输出脚与电阻R1的一端、电解电容C1的正极相连，电阻R1的另一端接电路正极VCC，驻极体话筒MIC的金属外壳端接电路地GND。

3.根据权利要求1所述的分立元件制作的高性能助听器，其特征是：前置低频放大电路中的NPN三极管VT1的基极接电解电容C1的负极和电阻R2的一端，NPN三极管VT1的集电极接电阻R2的另一端与电阻R3的一端及电解电容C2的正极，NPN三极管VT1的发射极接电路地GND。

4.根据权利要求1所述的分立元件制作的高性能助听器，其特征是：音量调节电路中电位器RP的一端接电解电容C2的负极，电位器RP的活动臂端接电解电容C3的正极，电位器RP的另一端接电路地GND。

5.根据权利要求1所述的分立元件制作的高性能助听器，其特征是：功率放大电路中NPN三极管VT2的基极接电解电容C3的负极、负反馈电阻R5的一端，NPN三极管VT2的集电极接PNP三极管VT3的基极和电阻R4的一端，电阻R4的另一端接电路正极VCC，NPN三极管VT2的发射极接电路地GND，PNP三极管VT3的发射极接耳机插座CZ的座体端和负反馈电阻R5的另一端，PNP三极管VT3的集电极接电路地GND。

6.根据权利要求1所述的分立元件制作的高性能助听器，其特征是：耳机插座CZ的座体端接PNP三极管VT3的发射极，耳机插座CZ的静触点接接电路正极VCC，耳机插座CZ的动触点接直流电源DC的正极。